從上圖可以看到，尖峰脈沖吸收電路就是一個(gè)RC吸收電路。至于在DC/DC哪里加RC吸...從上圖可以看到，尖峰脈沖吸收電路就是一個(gè)RC吸收電路。至于在DC/DC哪里加RC吸收電路，這里有一個(gè)規(guī)律，就是在開關(guān)管開/關(guān)的時(shí)候，跟電感形成一個(gè)回路。
首先來看看MOS應(yīng)力公式：（理想化處理，不影響結(jié)論） Vds=Vin+n*Vo+Vspike =...首先來看看MOS應(yīng)力公式：（理想化處理，不影響結(jié)論） Vds=Vin+n*Vo+Vspike =Vin+n*Vo+Ipk*（Lk/C1）0.5 這里兩個(gè)主要參數(shù)的意義： 1、Lk是變壓器漏感（實(shí)際還...
SJ MOSFET的技術(shù)主要有兩種，其一為由英飛凌（Infineon）開發(fā)的多磊晶技術(shù)，藉...SJ MOSFET的技術(shù)主要有兩種，其一為由英飛凌（Infineon）開發(fā)的多磊晶技術(shù)，藉由摻雜（doping）磊晶在磊晶層上形成島狀的摻雜區(qū)域，使該區(qū)域擴(kuò)散形成一個(gè)氮摻雜（...
很多讀者第一次接觸到這兩個(gè)名詞的時(shí)候，可能會(huì)顧名思義地認(rèn)為，平面型IGBT的電...很多讀者第一次接觸到這兩個(gè)名詞的時(shí)候，可能會(huì)顧名思義地認(rèn)為，平面型IGBT的電流就是水平流動(dòng)的，而溝槽柵IGBT的電流就是在垂直方向上流動(dòng)的。其實(shí)這是一個(gè)誤解，...
測(cè)量開關(guān)電源輸出紋波和功率MOSFET的VDS、VGS電壓的時(shí)候，通常要去除示波器探頭...測(cè)量開關(guān)電源輸出紋波和功率MOSFET的VDS、VGS電壓的時(shí)候，通常要去除示波器探頭的帽子，直接將探頭的信號(hào)尖端和地線接觸被測(cè)量位置的兩端，減小地線的環(huán)路，從而減...
