廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司

國(guó)家高新企業(yè)

cn en

新聞中心

低功耗mos管知識(shí)詳解及mos管原廠供貨、選型參考資料-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2018-09-11 

分享到:

低功耗mos管
什么是低功耗

隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)和微電子技術(shù)的迅速發(fā)展,嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域越來(lái)越廣泛。節(jié)能是全球化的熱潮,如計(jì)算機(jī)里的許多芯片過(guò)去用5V供電,現(xiàn)在用3.3V、1.8V,并提出了綠色系統(tǒng)的概念。很多廠商很注重微控制器的低功耗問(wèn)題。電路與系統(tǒng)的低功耗設(shè)計(jì)一直都是電子工程技術(shù)人員設(shè)計(jì)時(shí)需要考慮的重要因素。

低功耗mos管原廠介紹

介紹低功耗mos管供應(yīng)商信息,深圳市可易亞半導(dǎo)體科技有限公司.是一家專業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì),集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。

2005年在深圳福田,KIA半導(dǎo)體開(kāi)啟了前行之路,注冊(cè)資金1000萬(wàn),辦公區(qū)域達(dá)1200平方,已經(jīng)擁有了獨(dú)立的研發(fā)中心,研發(fā)人員以來(lái)自韓國(guó)(臺(tái)灣)超一流團(tuán)隊(duì),可以快速根據(jù)客戶應(yīng)用領(lǐng)域的個(gè)性來(lái)設(shè)計(jì)方案,同時(shí)引進(jìn)多臺(tái)國(guó)外先進(jìn)設(shè)備,業(yè)務(wù)含括功率器件的直流參數(shù)檢測(cè)、雪崩能量檢測(cè)、可靠性實(shí)驗(yàn)、系統(tǒng)分析、失效分析等領(lǐng)域。強(qiáng)大的研發(fā)平臺(tái),使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面擁有知識(shí)產(chǎn)權(quán)35項(xiàng),并掌握多項(xiàng)場(chǎng)效應(yīng)管核心制造技術(shù)。自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力。

低功耗mos管

強(qiáng)大的研發(fā)平臺(tái),使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面擁有知識(shí)產(chǎn)權(quán)35項(xiàng),并掌握多項(xiàng)場(chǎng)效應(yīng)管核心制造技術(shù)。自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力。

低功耗mos管

KIA半導(dǎo)體的產(chǎn)品涵蓋工業(yè)、新能源、交通運(yùn)輸、綠色照明四大領(lǐng)域,不僅包括光伏逆變及無(wú)人機(jī)、充電樁、這類新興能源,也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。KIA專注于產(chǎn)品的精細(xì)化與革新,力求為客戶提供最具行業(yè)領(lǐng)先、品質(zhì)上乘的科技產(chǎn)品。

低功耗mos管

從設(shè)計(jì)研發(fā)到制造再到倉(cāng)儲(chǔ)物流,KIA半導(dǎo)體真正實(shí)現(xiàn)了一體化的服務(wù)鏈,真正做到了服務(wù)細(xì)節(jié)全到位的品牌內(nèi)涵,我們致力于成為場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)跑者,為了這個(gè)目標(biāo),KIA半導(dǎo)體正在持續(xù)創(chuàng)新,永不止步!

低功耗mos管

低功耗mos管選型及參數(shù)參考資料

低功耗mos管

注:這里只列出了部分低功耗mos管型號(hào),需了解更多型號(hào)及參數(shù)資料,請(qǐng)聯(lián)系我們!

技術(shù)路線

目前的低功耗設(shè)計(jì)主要從芯片設(shè)計(jì)和系統(tǒng)設(shè)計(jì)兩個(gè)方面考慮。隨著半導(dǎo)體工藝的飛速發(fā)展和芯片工作頻率的提高,芯片的功耗迅速增加,而功耗增加又將導(dǎo)致芯片發(fā)熱量的增大和可靠性的下降。因此,功耗已經(jīng)成為深亞微米集成電路設(shè)計(jì)中的一個(gè)重要考慮因素。為了使產(chǎn)品更具競(jìng)爭(zhēng)力,工業(yè)界對(duì)芯片設(shè)計(jì)的要求已從單純追求高性能、小面積轉(zhuǎn)為對(duì)性能、面積、功耗的綜合要求。而微處理器作為數(shù)字系統(tǒng)的核心部件,其低功耗設(shè)計(jì)對(duì)降低整個(gè)系統(tǒng)的功耗具有重要的意義。

在嵌入式系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中,低功耗設(shè)計(jì)(Low-Power Design)是許多設(shè)計(jì)人員必須面對(duì)的問(wèn)題,其原因在于嵌入式系統(tǒng)被廣泛應(yīng)用于便攜式和移動(dòng)性較強(qiáng)的產(chǎn)品中去,而這些產(chǎn)品不是一直都有充足的電源供應(yīng),往往是靠電池來(lái)供電,所以設(shè)計(jì)人員從每一個(gè)細(xì)節(jié)來(lái)考慮降低功率消耗,從而盡可能地延長(zhǎng)電池使用時(shí)間。事實(shí)上,從全局來(lái)考慮低功耗設(shè)計(jì)已經(jīng)成為了一個(gè)越來(lái)越迫切的問(wèn)題。

低功耗mos管-IC低功耗設(shè)計(jì)

微處理器的低功耗設(shè)計(jì)技術(shù),首先必須了解它的功耗來(lái)源。其中時(shí)鐘單元(Clock)功耗最高,因?yàn)闀r(shí)鐘單元有時(shí)鐘發(fā)生器、時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)、時(shí)鐘樹(shù)和鐘控單元的時(shí)鐘負(fù)載;數(shù)據(jù)通路(Datapath)是僅次于時(shí)鐘單元的部分,其功耗主要來(lái)自運(yùn)算單元、總線和寄存器堆。除了上述兩部分,還有存儲(chǔ)單元(Memory),控制部分和輸入/輸出(Control,I/O)。存儲(chǔ)單元的功耗與容量相關(guān)。

MOS管電路功耗主要由3部分組成:電路電容充放電引起的動(dòng)態(tài)功耗,結(jié)反偏時(shí)漏電流引起的功耗和短路電流引起的功耗。其中,動(dòng)態(tài)功耗是最主要的,占了總功耗的90%以上。

常用的低功耗設(shè)計(jì)技術(shù)

低功耗設(shè)計(jì)足一個(gè)復(fù)雜的綜合性課題。就流程而言,包括功耗建模、評(píng)估以及優(yōu)化等;就設(shè)計(jì)抽象層次而言,包括自系統(tǒng)級(jí)至版圖級(jí)的所有抽象層次。同時(shí),功耗優(yōu)化與系統(tǒng)速度和面積等指標(biāo)的優(yōu)化密切相關(guān),需要折中考慮。下面討論常用的低功耗設(shè)計(jì)技術(shù)。

1) 動(dòng)態(tài)電壓調(diào)節(jié)

動(dòng)態(tài)功耗與工作電壓的平方成正比,功耗將隨著工作電壓的降低以二次方的速度降低,因此降低工作電壓是降低功耗的有力措施。但是,僅僅降低工作電壓會(huì)導(dǎo)致傳播延遲加大,執(zhí)行時(shí)間變長(zhǎng)。然而,系統(tǒng)負(fù)載是隨時(shí)間變化的,因此并不需要微處理器所有時(shí)刻都保持高性能。動(dòng)態(tài)電壓調(diào)節(jié)DVS(Dynarnic Voltage Scaling)技術(shù)降低功耗的主要思路是根據(jù)芯片工作狀態(tài)改變功耗管理模式,從而在保證性能的基礎(chǔ)上降低功耗。在不同模式下,工作電壓可以進(jìn)行調(diào)整。為了精確地控制DVS,需要采用電壓調(diào)度模塊來(lái)實(shí)時(shí)改變工作電壓,電壓調(diào)度模塊通過(guò)分析當(dāng)前和過(guò)去狀態(tài)下系統(tǒng)工作情況的不同來(lái)預(yù)測(cè)電路的工作負(fù)荷。

2) 門(mén)控時(shí)鐘和可變頻率時(shí)鐘

在微處理器中,很大一部分功耗來(lái)自時(shí)鐘。時(shí)鐘是惟一在所有時(shí)間都充放電的信號(hào),而且很多情況下引起不必要的門(mén)的翻轉(zhuǎn),因此降低時(shí)鐘的開(kāi)關(guān)活動(dòng)性將對(duì)降低整個(gè)系統(tǒng)的功耗產(chǎn)牛很大的影響。門(mén)控時(shí)鐘包括門(mén)控邏輯模塊時(shí)鐘和門(mén)控寄存器時(shí)鐘。門(mén)控邏輯模塊時(shí)鐘對(duì)時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行劃分,如果在當(dāng)前的時(shí)鐘周期內(nèi),系統(tǒng)沒(méi)有用到某些邏輯模塊,則暫時(shí)切斷這些模塊的時(shí)鐘信號(hào),從而明顯地降低開(kāi)關(guān)功耗。采用“與”門(mén)實(shí)現(xiàn)的時(shí)鐘控制電路。門(mén)控寄存器時(shí)鐘的原理是當(dāng)寄存器保持?jǐn)?shù)據(jù)時(shí),關(guān)閉寄存器時(shí)鐘,以降低功耗。然而,門(mén)控時(shí)鐘易引起毛刺,必須對(duì)信號(hào)的時(shí)序加以嚴(yán)格限制,并對(duì)其進(jìn)行仔細(xì)的時(shí)序驗(yàn)證。

另一種常用的時(shí)鐘技術(shù)就是可變頻率時(shí)鐘。它根據(jù)系統(tǒng)性能要求,配置適當(dāng)?shù)臅r(shí)鐘頻率以避免不必要的功耗。門(mén)控時(shí)鐘實(shí)際上是可變頻率時(shí)鐘的一種極限情況(即只有零和最高頻率兩種值),因此,可變頻率時(shí)鐘比門(mén)控時(shí)鐘技術(shù)更加有效,但需要系統(tǒng)內(nèi)嵌時(shí)鐘產(chǎn)生模塊PLL,增加了設(shè)計(jì)復(fù)雜度。去年Intel公司推出的采用先進(jìn)動(dòng)態(tài)功耗控制技術(shù)的Montecito處理器,就利用了變頻時(shí)鐘系統(tǒng)。該芯片內(nèi)嵌一個(gè)高精度數(shù)字電流表,利用封裝上的微小電壓降計(jì)算總電流;通過(guò)內(nèi)嵌的一個(gè)32位微處理器來(lái)調(diào)整主頻,達(dá)到64級(jí)動(dòng)態(tài)功耗調(diào)整的目的,大大降低了功耗。

3) 并行結(jié)構(gòu)與流水線技術(shù)

并行結(jié)構(gòu)的原理是通過(guò)犧牲面積來(lái)降低功耗。將一個(gè)功能模塊復(fù)制為n(n≥2)個(gè)相同的模塊,這些模塊并行計(jì)算后通過(guò)數(shù)據(jù)選擇器選擇輸出,采用二分頻的并行結(jié)構(gòu)。

并行設(shè)計(jì)后,由于有多個(gè)模塊同時(shí)工作,提高了吞吐能力,可以把每個(gè)模塊的速度降低為原來(lái)的l/n。根據(jù)延時(shí)和工作電壓的線性關(guān)系,工作電壓可以相應(yīng)降低為原來(lái)的l/n,電容增大為原來(lái)的n倍,工作頻率降低為原來(lái)的l/n,根據(jù)式(1)功耗降低為原來(lái)的1/n2。并行設(shè)計(jì)的關(guān)鍵是算法設(shè)計(jì),一般算法中并行計(jì)算的并行度往往比較低,并行度高的算法比較難開(kāi)發(fā)。例如:若原模塊的功耗為P=a×CL×V2dd×f,采用二分頻結(jié)構(gòu),由于增加了一個(gè)模塊和數(shù)據(jù)選擇器,整個(gè)電容負(fù)載為2.2CL,工作頻率為f/2,工作電壓可以降為O.6 V,則其功耗為:

低功耗mos管

由此可見(jiàn),二分頻并行結(jié)構(gòu)在保持原有電路性能的同時(shí)降低了60%的功耗。

流水線技術(shù)本質(zhì)上也是一種并行。把某一功能模塊分成n個(gè)階段進(jìn)行流水作業(yè),每個(gè)階段由一個(gè)子模塊來(lái)完成,在子模塊之間插入寄存器,如圖5所示。若工作頻率不變,對(duì)某個(gè)模塊的速度要求僅為原來(lái)的1/n,則工作電壓可以降低為原來(lái)的1/n,電容的變化不大(寄存器面積占的比例很小),功耗可降低為原來(lái)的1/n2,面積基本不變,但增加了控制的復(fù)雜度。例如,若原模塊的功耗為P=α×C1×V2dd×f,采用流水線技術(shù),由于增加了寄存器,整個(gè)電容負(fù)載為1.2CL,工作頻率不變,工作電壓降為0.6 V,則其功耗為:

低功耗mos管

由此可見(jiàn),流水線技術(shù)能顯著降低系統(tǒng)功耗。

通過(guò)流水線技術(shù)和并行結(jié)構(gòu)降低功耗的前提是電路工作電壓可變。如果工作電壓固定,則這兩種方法只能提高電路的工作速度,并相應(yīng)地增加了電路的功耗。在深亞微米工藝下,工作電壓已經(jīng)比較接近閾值電壓,為了使工作電壓有足夠的下降空間,應(yīng)該降低闊值電壓;但是隨著閾值電壓的降低,亞閾值電流將呈指數(shù)增長(zhǎng),靜態(tài)功耗迅速增加。因此,電壓的下降空間有限。

4) 低功耗單元庫(kù)

設(shè)計(jì)低功耗單元庫(kù)是降低功耗的一個(gè)重要方法,包括調(diào)整單元尺寸、改進(jìn)電路結(jié)構(gòu)和版圖設(shè)計(jì)。用戶可以根據(jù)負(fù)載電容和電路延時(shí)的需要選擇不同尺寸的電路來(lái)實(shí)現(xiàn),這樣會(huì)導(dǎo)致不同的功耗,因此可以根據(jù)需要設(shè)計(jì)不同尺寸的單元。同時(shí),為常用的單元選擇低功耗的實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu),如觸發(fā)器、鎖存器和數(shù)據(jù)選擇器等。

5) 低功耗狀態(tài)機(jī)編碼

狀態(tài)機(jī)編碼對(duì)信號(hào)的活動(dòng)性具有重要影響,通過(guò)合理選擇狀態(tài)機(jī)狀態(tài)的編碼方法,減少狀態(tài)切換時(shí)電路的翻轉(zhuǎn),可以降低狀態(tài)機(jī)的功耗。其原則是:對(duì)于頻繁切換的相鄰狀態(tài),盡量采用相鄰編碼。例如:Gray碼在任何兩個(gè)連續(xù)的編碼之間只有一位的數(shù)值不同,在設(shè)計(jì)計(jì)數(shù)器時(shí),使用Gray碼取代二進(jìn)制碼,則計(jì)數(shù)器的改變次數(shù)幾乎減少一半,顯著降低了功耗;在訪問(wèn)相鄰的地址空間時(shí),其跳變次數(shù)顯著減少,有效地降低了總線功耗。

6) Cache的低功耗設(shè)計(jì)

作為現(xiàn)代微處理器中的重要部件,Cache的功耗約占整個(gè)芯片功耗的30%~60%,因此設(shè)計(jì)高性能、低功耗的Cach結(jié)構(gòu),對(duì)降低微處理器的功耗有明顯作用。Cache低功耗設(shè)計(jì)的關(guān)鍵在于降低失效率,減少不必要的操作。通常用來(lái)降低Cache功耗的方法有以下兩種:一種是從存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)出發(fā),設(shè)計(jì)低功耗的存儲(chǔ)器,例如采用基于CAM的Cache結(jié)構(gòu);另一種是通過(guò)減少對(duì)Cache的訪問(wèn)次數(shù)來(lái)降低功耗。

以上主要是從硬件的角度來(lái)實(shí)現(xiàn)功耗的降低。除了硬件方法,通過(guò)軟件方面的優(yōu)化,也能顯著地降低功耗。例如:在Crusoe處理器中,采用高效的超長(zhǎng)指令(VLIW)、代碼融合(Code Morphing)技術(shù)、LongRun電源管理技術(shù)和RunCooler工作溫度自動(dòng)調(diào)節(jié)等創(chuàng)新技術(shù),獲得了良好的低功耗效果。


聯(lián)系方式:鄒先生

聯(lián)系電話:0755-83888366-8022

手機(jī):18123972950

QQ:2880195519

聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1


請(qǐng)搜微信公眾號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號(hào)

請(qǐng)“關(guān)注”官方微信公眾號(hào):提供  MOS管  技術(shù)幫助