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電子分析:MOS管擊穿是什么原因

信息來源：本站　日期：2017-04-18　

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MOS管本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當高的電壓(U=Q/C)，將管子損壞。雖然MOS輸入端有抗靜電的保護措施，但仍需小心對待，在存儲和運輸中最好用金屬容器或者導電材料包裝，不要放在易產(chǎn)生靜電高壓的化工材料或化纖織物中。組裝、調(diào)試時，工具、儀表、工作臺等均應良好接地。MOS管廠家要防止操作人員的靜電干擾造成的損壞，如不宜穿尼龍、化纖衣服，手或工具在接觸集成塊前最好先接一下地。對器件引線矯直彎曲或人工焊接時，使用的設(shè)備必須良好接地。

靜電放電形成的是短時大電流，放電脈沖的時間常數(shù)遠小于器件散熱的時間常數(shù)。因此，當靜電放電電流通過面積很小的pn結(jié)或肖特基結(jié)時，將產(chǎn)生很大的瞬間功率密度，形成局部過熱，有可能使局部結(jié)溫達到甚至超過材料的本征溫度（如硅的熔點1415℃），使結(jié)區(qū)局部或多處熔化導致pn結(jié)短路，器件徹底失效。這種失效的發(fā)生與否，主要取決于器件內(nèi)部區(qū)域的功率密度，功率密度越小，說明器件越不易受到損傷。

反偏pn結(jié)比正偏pn結(jié)更容易發(fā)生熱致失效，在反偏條件下使結(jié)損壞所需要的能量只有正偏條件下的十分之一左右。這是因為反偏時，大部分功率消耗在結(jié)區(qū)中心，而正偏時，則多消耗在結(jié)區(qū)外的體電阻上。對于雙極器件，通常發(fā)射結(jié)的面積比其它結(jié)的面積都小，而且結(jié)面也比其它結(jié)更靠近表面，所以常常觀察到的是發(fā)射結(jié)的退化。此外，擊穿電壓高于100V或漏電流小于1nA的pn結(jié)（如JFET的柵結(jié)），比類似尺寸的常規(guī)pn結(jié)對靜電放電更加敏感。

靜電的基本物理特征為：有吸引或排斥的力量;有電場存在，與大地有電位差;會產(chǎn)生放電電流。這三種情形會對電子元件造成以下影響：

1.元件吸附灰塵，改變線路間的阻抗，影響元件的功能和壽命。

2.因電場或電流破壞元件絕緣層和導體，使元件不能工作(完全破壞)。

3.因瞬間的電場軟擊穿或電流產(chǎn)生過熱，使元件受傷，雖然仍能工作，但是壽命受損。

上述這三種情況中，如果元件完全破壞，必能在生產(chǎn)及品質(zhì)測試中被察覺而排除，影響較少。如果元件輕微受損，在正常測試中不易被發(fā)現(xiàn)，在這種情形下，常會因經(jīng)過多次加工，甚至已在使用時，才被發(fā)現(xiàn)破壞，不但檢查不易，而且損失亦難以預測。靜電對電子元件產(chǎn)生的危害不亞于嚴重火災和爆炸事故的損失.