KIA35P10A替代CMD5950規(guī)格書 廠家直銷-低內(nèi)阻 雪崩沖擊小-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2018-12-26
KIA35P10A采用先進的溝槽MOSFET技術，提供優(yōu)良的RDS（ON）和柵極。用于各種各樣的應用中的電荷。KIA35P10A滿足RoHS和綠色產(chǎn)品要求，100% EAS保證全功能可靠性批準。
RDS(on) =42mΩ(typ)@VGS=10V
100% EAS保證
可用綠色設備
超低柵電荷
優(yōu)良的CDV/DT效應下降
先進的高密度溝槽技術
產(chǎn)品型號：KIA35P10A
工作方式：-35A /-100V
漏源電壓：-100V
柵源電壓：±20V
漏電流連續(xù)：-35A
脈沖漏極電流：-100A
雪崩電流：28A
雪崩能量：345mJ
耗散功率：104W
熱電阻：62℃/V
漏源擊穿電壓：-100V
柵極閾值電壓：-1.2V
輸入電容：4920PF
輸出電容：223PF
上升時間：32.2ns
查看詳情，請點擊下圖。
CMD5950采用先進的溝槽技術和設計，提供優(yōu)良的低門電荷RDS（on），它可用于多種用途。
P溝道
低電阻
快速切換100%
雪崩測試
漏源電壓：-100 V
柵源電壓：20V
連續(xù)漏電流：-35a
脈沖漏極電流：-105a
雪崩電流：- 35 A
總功耗：50w
儲存溫度范圍：- 55至150
工作結溫度范圍：150℃
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
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