irf630場效應(yīng)管參數(shù)規(guī)格書-原裝正品場效應(yīng)管 價格詳情-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-02-21
IR的第五代HEXFET功率場效應(yīng)管IRF630采用先進的工藝技術(shù)制造，具有極低的導通阻抗。IRF630這種特性，加上快速的轉(zhuǎn)換速率，和以堅固耐用著稱的HEXFET設(shè)計，使得IRF630成為極其高效可靠、應(yīng)用范圍超廣的器件。
TO-220封裝的IRF630普遍適用于功耗在50W左右的工商業(yè)應(yīng)用，低熱阻和低成本的TO-220封裝，使IRF630得到業(yè)內(nèi)的普遍認可。D2Pak封裝的IRF630適用于貼片安裝，比起現(xiàn)有的任何其他貼片封裝，可說是功率最高，導通阻抗最低。TO-262是IRF630的通孔安裝版，適合較低端的應(yīng)用。
先進的工藝技術(shù)
貼片安裝（IRF630NS）
低端通孔安裝（IRF630NL）
動態(tài)dv/dt率
175℃工作溫度
快速轉(zhuǎn)換速率
輕松并行
僅需簡單驅(qū)動
無鉛環(huán)保
漏極電流, Id 最大值：9A
電壓, Vds 最大：200V
開態(tài)電阻, Rds(on)：0.4ohm
電壓 @ Rds測量：10V
電壓, Vgs 最高：3V
功率, Pd：100W
封裝類型, 替代：SOT-78B
引腳節(jié)距：2.54mm
時間, trr 典型值：170ns
晶體管數(shù)：1
晶體管類型：MOSFET
滿功率溫度：25°C
電容值, Ciss 典型值：540pF
電流, Idm 脈沖：36A
表面安裝器件：通孔安裝
針腳格式：1G 2+插口 D 3S
閾值電壓, Vgs th 最低：2V
閾值電壓, Vgs th 最高：4V
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
