DTU09N03替代MOS管-MOS管型號規(guī)格書下載 封裝 參數(shù)詳情-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-07-08
DTU09N03可用KIA50N03A替代，深圳市可易亞半導體科技有限公司.是一家專業(yè)從事中、大、功率場效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設計，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。
KIA半導體研發(fā)人員以來自韓國(臺灣)超一流團隊，可以快速根據(jù)客戶應用領域的個性來設計方案，同時引進多臺國外先進設備，業(yè)務含括功率器件的直流參數(shù)檢測、雪崩能量檢測、可靠性實驗、系統(tǒng)分析、失效分析等領域。強大的研發(fā)平臺，使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設計方面擁有知識產(chǎn)權(quán)35項，并掌握多項場效應管核心制造技術(shù)。自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的核心競爭力。
從設計研發(fā)到制造再到倉儲物流，KIA半導體真正實現(xiàn)了一體化的服務鏈，真正做到了服務細節(jié)全到位的品牌內(nèi)涵，我們致力于成為場效應管（MOSFET）功率器件領域的領跑者，為了這個目標，KIA半導體正在持續(xù)創(chuàng)新，永不止步！
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1、先進的溝槽處理技術(shù)
2、高密度超低電阻電池的設計
3、完全確定雪崩電壓和電流
4、VDSS=30V,RDS(on)=6.5mΩ,ID=50A
5、Vds=30V
6、RDS(ON)=6.5mΩ(Max.),VGS@10V,Ids@30A
7、RDS(ON)=9.5mΩ(Max.),VGS@4.5V,Ids@30A
產(chǎn)品型號：KIA50N03A
工作方式：50A/30V
漏源極電壓:30V
柵源電壓:±20V
連續(xù)漏電流：50A
脈沖漏電流 ：200A
操作接頭和存儲溫度范圍:-55℃至150℃
結(jié)對殼熱阻：1.8℃/W
對周圍環(huán)境的電阻:50℃/W
以下為KIA50N03A產(chǎn)品PDF格式的產(chǎn)品詳細資料，查看詳情請點擊下圖。
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
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