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MOS管3400規(guī)格書下載-MOS管3400封裝-MOS管3400價格-KIA MOS管

信息來源：本站　日期：2019-11-14　

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MOS管3400-MOS管3400規(guī)格書-MOS管3400封裝-MOS管3400價格

MOS管3400原廠

KIA半導體是一家專業(yè)從事中、大、功率場效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設計，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。


MOS管3400


擁有20年多年的企業(yè)歷史及16年的品牌歷史的可易亞，多年來一直堅持創(chuàng)新技術(shù)，專注自主研發(fā)及制造MOS管，引進多臺國外先進設備，業(yè)務含括功率器件的直流參數(shù)檢測、雪崩能量檢測、可靠性實驗、系統(tǒng)分析、失效分析等領域。強大的研發(fā)平臺，使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設計方面擁有知識產(chǎn)權(quán)35項，并掌握多項場效應管核心制造技術(shù)。


MOS管3400參數(shù)、封裝、規(guī)格書等產(chǎn)品數(shù)據(jù)
（一）MOS管3400產(chǎn)品概述

KIA3400采用了先進的溝槽技術(shù)，提供給良好的RDS（on），低門電荷門極電壓低至2.5V。KIA3400適合用于負載開關(guān)或是用于脈寬調(diào)制應用。KIA3400是標準產(chǎn)品（符合ROHS和Sony 259規(guī)范）。


（二）MOS管3400的產(chǎn)品特征

VDS(V)=30V

RDS(on)<40mΩ(VGS=10V,ID=4.8A)

RDS(on)<42mΩ(VGS=4.5V,ID=4.0A)

RDS(on)<55mΩ(VGS=2.5V,ID=3.5A)


（三）MOS管3400封裝圖


MOS管3400


（四）MOS管3400主要參數(shù)

型號：KIA3400

漏源電壓：30V

柵源電壓：±12V

持續(xù)漏電流：4.8A

脈沖漏極電流:30A

結(jié)溫和儲存溫度范圍:-55℃-150℃

漏源擊穿電壓：30V


MOS管3400


（五）MOS管3400規(guī)格書

在線查看及下載規(guī)格書，請點擊下圖。


MOS管3400


聯(lián)系方式：鄒先生

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