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集射極間電壓

信息來源：本站　日期：2017-05-15　

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射極開路的時(shí)分，集射極間能夠承受的最大電壓。它是器件的最小額定電壓。假設(shè)基射極間的電阻很小（ 50 lOO!l），那么在關(guān)斷狀態(tài)下晶體管能夠承受一個(gè)更高的電壓。

大功率晶體管（集電極無緩沖器）關(guān)斷時(shí)，典型的集電極電流F降和集射極間電壓上升過程 2N6836 C 15A、850V ）的MOS開關(guān)電路時(shí)間晶體管能夠安全承受的最高電壓。這是在關(guān)斷的瞬間呈現(xiàn)漏感尖峰時(shí) ,晶體管能夠承受的最大電壓。只需在關(guān)斷期間，基極存在一個(gè)一I5V的反向尖峰電壓時(shí)，晶體管才干承受這個(gè)電壓。反向偏置的基極電壓或電壓尖峰必需由基極驅(qū)動電路提供，其持續(xù)時(shí)間必需大于漏感尖峰的持續(xù)時(shí)間。

反向偏置安全工作區(qū)域。在關(guān)斷期間，le-Vee曲線不能越過給出的邊境。就算是一次越界也可能損壞晶體管，由于電流會集中在芯片的某個(gè)小部分，招致局部過熱。若在關(guān)斷瞬間加上］～5V的反偏電壓，可工作在邊境以內(nèi)。若關(guān)斷時(shí) Vbe=O ，則晶體管只能工作在區(qū)域內(nèi) .能同時(shí)滿足高、低盧值的晶體管工作懇求的設(shè)計(jì)方案產(chǎn)品的盧值的離散性很大，可能相差4倍之多。假設(shè)基極電流可以較好的驅(qū)動盧值低的晶體管，那么它將對F值高的晶體管構(gòu)成很強(qiáng)的過驅(qū)動，招致過長的儲存時(shí)間。假設(shè)要縮短過長的儲存時(shí)間，需求的反向基極電流就會相當(dāng)大。

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