mos管公式-分享MOS管公式驅(qū)動(dòng)電流、飽和區(qū)電流等-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2020-02-27
mos管公式驅(qū)動(dòng)電流的估算第一種:
可以使用如下公式估算:
Ig=Qg/Ton
其中:
Ton=t3-t0≈td(on)+tr
td(on):MOS導(dǎo)通延遲時(shí)間,從有駛?cè)腚妷荷仙?0%開(kāi)始到VDS下降到其幅值90%的時(shí)間。
Tr:上升時(shí)間。輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時(shí)間
Qg=(CEI)(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod (可在datasheet中找到)
mos管公式驅(qū)動(dòng)電流的估算第二種:
密勒效應(yīng)時(shí)間(開(kāi)關(guān)時(shí)間)Ton/off=Qgd/Ig;
Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg;
Ig:MOS柵極驅(qū)動(dòng)電流;Vb:穩(wěn)態(tài)柵極驅(qū)動(dòng)電壓;
mos管公式驅(qū)動(dòng)電流的估算第三種:
以IR的IRF640為例,看DATASHEET里有條Total Gate Charge曲線。該曲線先上升然后幾乎水平再上升。水平那段是管子開(kāi)通(密勒效應(yīng))假定你希望在0.2us內(nèi)使管子開(kāi)通,估計(jì)總時(shí)間(先上升然后水平再上升)為0.4us,由Qg=67nC和0.4us可得:
67nC/0.4us=0.1675A,當(dāng)然,這是峰值,僅在管子開(kāi)通和關(guān)短的各0.2us里有電流,其他時(shí)間幾乎沒(méi)有電流,平均值很小,但如果驅(qū)動(dòng)芯片不能輸出這個(gè)峰值,管子的開(kāi)通就會(huì)變慢。
mos管公式飽和區(qū)電流公式,在強(qiáng)反型狀態(tài)下飽和區(qū)中的工作。小信號(hào)參數(shù)的值因MOS晶體管的工作區(qū)域而變化。假定MOS晶體管處于VGS比閾值電壓VT高得多的強(qiáng)反型狀態(tài),而且工作在飽和區(qū),求這種狀況下的小信號(hào)參數(shù)。
可將跨導(dǎo)gm表示如下:
在能夠疏忽溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)的狀況下,得到
這個(gè)跨導(dǎo)gm能夠用漏極電流ID表示為
也能夠用漏極電流ID和柵極-源極間電壓VGS表示為
體跨導(dǎo)gmb能夠由下式求得:
由式(1.18)和式(1.20),能夠分別導(dǎo)出
所以得到
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