碳化硅MOSFET優(yōu)勢分析 具體有哪些優(yōu)勢詳解-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2020-05-08
(一)開關(guān)損耗
碳化硅MOSFET有哪些優(yōu)勢,下圖1是1200V HighSpeed3 IGBT(IGW40N120H3) 與CoolSiCTM MOSFET (IMW120R045M1) 在同一平臺下進(jìn)行開關(guān)損耗的對比測試結(jié)果。母線電壓800V, 驅(qū)動電阻RG=2.2Ω,驅(qū)動電壓為15V/-5V。使用1200V/20A G5 肖特基二極管 IDH20G120C5作為續(xù)流二極管。在開通階段,40A 的電流情況下,CoolSiCTM MOSFET 開通損耗比IGBT 低約50%,且?guī)缀醪浑S結(jié)溫變化。這一優(yōu)勢在關(guān)斷階段會更加明顯,在25℃結(jié)溫下,CoolSiCTM MOSFET 關(guān)斷損耗大約是IGBT 的20%,在175℃的結(jié)溫下,CoolSiCTM MOSFET 關(guān)斷損耗僅有IGBT 的10%(關(guān)斷40A電流)。且開關(guān)損耗溫度系數(shù)很小。
圖1 IGBT與CoolSiCTM開關(guān)損耗對比
(二)導(dǎo)通損耗
碳化硅MOSFET有哪些優(yōu)勢,圖2是1200V HighSpeed3 IGBT (IGW40N120H3) 與CoolSiCTM MOSFET (IMW120R045M1) 的輸出特性對比。常溫下,兩個(gè)器件在40A 電流下的導(dǎo)通壓降相同。當(dāng)小于40A 時(shí),CoolSiCTM MOSFET 顯示出近乎電阻性的特性,而IGBT 則在輸出特性上有一個(gè)拐點(diǎn),一般在1V~2V, 拐點(diǎn)之后電流隨電壓線性增長。當(dāng)負(fù)載電流為15A 時(shí),在常溫下,CoolSiCTM 的正向壓降只有IGBT 的一半,在175℃結(jié)溫下,CoolSiCTM MOSFET 的正向壓降約是IGBT 的80%。在實(shí)際器件設(shè)計(jì)中,CoolSiCTM MOSFET比IGBT 具有更低的導(dǎo)通損耗。
圖2 CoolSiCTM 和IGBT導(dǎo)通損耗對比
(三)體二極管續(xù)流特性
碳化硅MOSFET有哪些優(yōu)勢,CoolSiCTM MOSFET的本征二極管有著和SiC肖特基二極管類似的快恢復(fù)特性。25℃時(shí),它的Qrr和相同電流等級的G5 SiC 二極管近乎相等。然而,反向恢復(fù)時(shí)間及反向恢復(fù)電荷都會隨結(jié)溫的增加而增加。從圖3(a)中我們可以看出,當(dāng)結(jié)溫為175℃時(shí),CoolSiC? MOSFET 的Qrr略高于G5 肖特基二極管。圖3(b)比較了650V 41mΩ Si MOSFET 本征二極管和CoolSiCTM MOSFET 本征二極管的性能。在常溫及高溫下,1200V CoolSiCTM MOSFET 體二極管僅有Si MOSFET 體二極管Qrr的10%。
圖3 CoolSiCTM MOSFET體二極管動態(tài)特性
我們已經(jīng)了解到,SiC材料雖然在擊穿場強(qiáng)、熱導(dǎo)率、飽和電子速率等方面相比于Si材料有著絕對的優(yōu)勢,但是它在形成MOS(金屬-氧化物-半導(dǎo)體)結(jié)構(gòu)的時(shí)候,SiC-SiO2界面電荷密度要遠(yuǎn)大于Si-SiO2,這樣造成的后果就是SiC表面電子遷移率要遠(yuǎn)低于體遷移率,從而使溝道電阻遠(yuǎn)大于體電阻,成為器件通態(tài)比電阻大小的主要成分。然而,表面電子遷移率在不同的晶面上有所區(qū)別。目前常見的SiC MOSFET 都是平面柵結(jié)構(gòu),Si-面上形成導(dǎo)電溝道,缺陷較多,電子遷移率低。英飛凌CoolSiCTM MOSFET 采用Trench 溝槽柵結(jié)構(gòu),導(dǎo)電溝道從水平的晶面轉(zhuǎn)移到了豎直的晶面,大大提高了表面電子遷移率,使器件的驅(qū)動更加容易,壽命更長。
SiC MOSFET在阻斷狀態(tài)下承受很高的電場強(qiáng)度,對于Trench 器件來說,電場會在溝槽的轉(zhuǎn)角處集中,這里是MOSFET耐壓設(shè)計(jì)的一個(gè)薄弱點(diǎn)。
圖4 CoolSiCTM MOSFET剖面示意圖
相比于其它SiC MOSFET, CoolSiCTM MOSFET 有以下獨(dú)特的優(yōu)勢:
a)為了與方便替換現(xiàn)在的Si IGBT,CoolSiCTM MOSFET 推薦驅(qū)動電壓為15V,與現(xiàn)在Si 基IGBT驅(qū)動需求兼容。CoolSiCTM MOSFET典型閾值電壓4.5V, 高于市面常見的2~3V的閾值電壓。比較高的閾值電壓可以避免門極電壓波動引起的誤觸發(fā)。
b)CoolSiCTM MOSFET 有優(yōu)化的米勒電容Cgd 與柵源電容Cgs 比值,在抑制米勒寄生導(dǎo)通的同時(shí),兼顧高開關(guān)頻率。
c)大面積的深P阱可以用作快恢復(fù)二極管,具有極低的Qrr 與良好的魯棒性。
d)CoolSiCTM MOSFET提供芯片,單管,模塊多種產(chǎn)品。單管有TO-247 3pin 和 TO-247 4pin,開爾文接法可以防止米勒寄生導(dǎo)通,并減少開關(guān)損耗。模塊有EASY1B,EASY 2B, 62mm 等等, 可以覆蓋多種功率等級應(yīng)用。模塊采用低寄生電感設(shè)計(jì),為并聯(lián)設(shè)計(jì)優(yōu)化,使PCB 布線更容易。
綜上所述,CoolSiCTM MOSFET是一場值得信賴的技術(shù)革命,憑借它的獨(dú)特結(jié)構(gòu)和精心設(shè)計(jì),它將帶給用戶一流的系統(tǒng)效率,更高的功率密度,更低的系統(tǒng)成本。
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