什么是漏極 源極 柵極及場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)原理解析-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2020-08-14
場(chǎng)效應(yīng)管一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。
它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,具有輸入電阻高(108~109Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。
在兩個(gè)高摻雜的P區(qū)中間,夾著一層低摻雜的N區(qū)(N區(qū)一般做得很?。?,形成了兩個(gè)PN結(jié)。在N區(qū)的兩端各做一個(gè)歐姆接觸電極,在兩個(gè)P區(qū)上也做上歐姆電極,并把這兩P區(qū)連起來(lái),就構(gòu)成了一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管。如圖所示:
N型導(dǎo)電溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的電路符號(hào)
將兩個(gè)P區(qū)的引出線連在一起作為一個(gè)電極,稱為柵極(g),在N型硅片兩端各引出一個(gè)電極,分別稱為源極(s)和漏極(d),很薄的N區(qū)稱為導(dǎo)電溝道。共漏極放大電路——源極輸出器
共漏極放大電路也具有電壓放大倍數(shù)小于1,但接近1;輸出電壓與輸入電壓同相;輸入電阻高,輸出電阻低的特點(diǎn)。
將兩個(gè)P區(qū)的引出線連在一起作為一個(gè)電極,稱為柵極,在N型硅片兩端各引出一個(gè)電極,分別稱為源極和漏極,很薄的N區(qū)稱為導(dǎo)電溝道。共漏極放大電路——源極輸出器。柵極簡(jiǎn)稱為G,源極簡(jiǎn)稱為S,漏極簡(jiǎn)稱為D。
開(kāi)漏形式電路的特點(diǎn)
1.利用外部電路的驅(qū)動(dòng)能力,減少I(mǎi)C內(nèi)部的驅(qū)動(dòng),?或驅(qū)動(dòng)比芯片電源電壓高的負(fù)載。
2.可以將多個(gè)開(kāi)漏輸出的Pin,連接到一條線上。通過(guò)一只上拉電阻,在不增加任何器件的情況下,形成“與邏輯”關(guān)系。這也是I2C,SMBus等總線判斷總線占用狀態(tài)的原理。
3.由于漏級(jí)開(kāi)路,所以后級(jí)電路必須接一上拉電阻,上拉電阻的電源電壓就可以決定輸出電平。這樣就可以進(jìn)行任意電平的轉(zhuǎn)換了。
4.源極開(kāi)路提供了靈活的輸出方式,但是也有其弱點(diǎn),就是帶來(lái)上升沿的延時(shí)。因?yàn)樯仙厥峭ㄟ^(guò)外接上拉無(wú)源電阻對(duì)負(fù)載充電,所以當(dāng)電阻選擇小時(shí)延時(shí)就小,但功耗大;反之延時(shí)大功耗小。所以如果對(duì)延時(shí)有要求,則建議用下降沿輸出。
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