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MOS管開關(guān)頻率最高多少如何測算及MOS開關(guān)管的損耗計算-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2020-08-21 

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MOS管開關(guān)頻率最高多少如何測算及MOS開關(guān)管的損耗計算

MOS管開關(guān)電路

MOS管開關(guān)頻率最高多少如何測算詳解,先來看看MOS管開關(guān)電路。下為一張典型的N溝道增強型MOS管開關(guān)電路原理圖:

D1作用:續(xù)流二極管

R1作用:1、限流電阻,減小瞬間電流值:MOS管屬于壓控型器件,兩兩引腳之間存在寄生電容(Cgs、Cgd、Cds):

規(guī)格書中一般會標注Ciss、Coss、Crss:

Ciss = Cgs + Cgd

Coss = Cds + Cgd

Crss = Cgd

如圖Ciss=587pF,假設(shè)VGs=24V,dt=Tr(上升時間)=20ns,則MOS管在開關(guān)時的瞬間電流I = Ciss * dVgs / dt = 0.7A。當在柵極串接一個電阻(幾Ω~上千Ω)時,會與Ciss形成RC充放電回路,從而減小瞬間電流值。


2、調(diào)節(jié)MOS管的通斷速度,有利于控制EMI:同時,加上R1后,MOS管通斷切換時間會變慢,有利于控制EMI;但是如果串接的電阻太大,會導致柵極達到導通電壓的時間變長,也就是說MOS管處在半導通狀態(tài)的時間太長,此時MOS管內(nèi)阻較大,Rds->Rdson的時間比較長,Rds會消耗大量的功率,可能導致MOS管因發(fā)熱而損壞。


3、抑制柵極振蕩:

MOS管接入電路后,引入引線寄生電感,會與寄生電容形成LC振蕩電路,對于方波這種開關(guān)波形信號來說包含很多頻率成分:那么就可能在某個諧振頻率相同或者相近時形成串聯(lián)諧振電路,串接一個電阻后會減小振蕩電路的Q值,從而使振蕩快速衰減。


R2作用:

1、G極對地電阻(一般5KΩ~數(shù)十KΩ),通過下拉為MOS管提供一個固定偏置,避免當IC驅(qū)動口處于高阻態(tài)的情況下G極受到干擾信號使MOS管意外導通。


2、泄放電阻,通過這個電阻泄放掉G-S之間的少量靜電(G-S之間的電阻很大很大,少量的靜電就能通過G-S之間的等效電容產(chǎn)生很高的電壓,此時由于RGS很大,感應(yīng)電荷難以釋放,以致于高壓將MOS管很薄的絕緣層擊穿,損壞MOS管)從而保護MOS管,如果沒有這個電阻,MOS管容易受到外界干擾意外導通燒壞,此外在MOS管工作不斷開通關(guān)斷的時候?qū)纳娙葸M行適當?shù)姆烹娨员WoMOS管。


KIA半導體MOS管具備挺大的核心競爭力,是開關(guān)電源生產(chǎn)廠家的最好的選擇。KIA半導體 MOS管廠家主要研發(fā)、生產(chǎn)、經(jīng)營:場效應(yīng)管(MOS管)、COOL MOS(超結(jié)場效應(yīng)管)、三端穩(wěn)壓管、快恢復二極管;廣泛應(yīng)用于逆變器、鋰電池保護板、電動車控制器、HID車燈、LED燈、無刷電機、礦機電源、工業(yè)電源、適配器、3D打印機等領(lǐng)域。


MOS管開關(guān)頻率如何測算

MOS管在導通和截止的時候,一定不是在瞬間完成的。MOS管兩端的電壓有一個下降的過程,流過的電流有一個上升的過程,在這段時間內(nèi),MOS管的損失是電壓和電流的乘積,叫做開關(guān)損失。通常開關(guān)損失比導通損失大得多,而且開關(guān)頻率越快,損失也越大。


以IRF840的參數(shù)計算,假定門極電壓10V,那么電容量為63nC/10V=6.3nF。與10千歐放電電阻時間常數(shù)為63us。但是,不是經(jīng)過一個時間常數(shù)之后MOS管就關(guān)斷了,而是門極電壓下降到Vg(th)以下MOS管才會關(guān)斷。這段時間與MOS管型號有關(guān),與門極充電達到的電壓有關(guān)(實際上門極電容并不是線性電容),不太準確的估計,可以把門極電容放電時間估計為63us的2倍,即0.12ms。MOS管門極充電電阻較小(首帖圖中為3千歐),估計充電時間為0.06ms。那么充電放電時間一共是0.18ms。該MOS管在此電路中最大開關(guān)工作頻率為5.5kHz。


MOS開關(guān)管的損耗計算

1、開通損耗

MOS管在開通過程中,電流,電壓和功耗的波形近似如下

MOS管開關(guān)頻率,MOS開關(guān)


Rds(on)為Mos管的導通電阻,會隨著MOS管結(jié)溫的變化而變化,一般MOS的Datasheet中都會給出一個溫度變化曲線,可以參考改曲線取值。

Idrms為導通過程中的電流有效值、Ton為一個周期內(nèi)的導通時間、F為開關(guān)頻率


3、關(guān)斷損耗

MOS管在關(guān)斷過程中,電流,電壓和功耗的波形近似如下:

MOS管開關(guān)頻率,MOS開關(guān)


Idss為Mos管截止時在實際結(jié)溫情況下的漏電流,可以參考器件手冊取一個合適的值。Vds為截止時Mos管DS之間的電壓、Toff為一個周期內(nèi)的截止時間、f為開關(guān)頻率。


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