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MOS管損壞原因-MOS管損壞最常見有五種及分析-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2020-09-16 

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MOS管損壞原因最常見有五種

第一種:雪崩破壞

如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓,而且達到擊穿電壓V(BR)DSS(根據(jù)擊穿電流其值不同),并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。MOS管損壞原因

在介質(zhì)負載的開關(guān)運行斷開時產(chǎn)生的回掃電壓,或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會引起雪崩破壞。

典型電路:

MOS管損壞原因


第二種:器件發(fā)熱損壞-MOS管損壞原因

由超出安全區(qū)域引起發(fā)熱而導(dǎo)致的。發(fā)熱的原因分為直流功率和瞬態(tài)功率兩種。

(1)直流功率原因:外加直流功率而導(dǎo)致的損耗引起的發(fā)熱

導(dǎo)通電阻RDS(on)損耗(高溫時RDS(on)增大,導(dǎo)致一定電流下,功耗增加)由漏電流IDSS引起的損耗(和其他損耗相比極小)

(2)瞬態(tài)功率原因:外加單觸發(fā)脈沖

負載短路

開關(guān)損耗(接通、斷開)(與溫度和工作頻率是相關(guān)的)內(nèi)置二極管的trr損耗(上下橋臂短路損耗)(與溫度和工作頻率是相關(guān)的)器件正常運行時不發(fā)生的負載短路等引起的過電流,造成瞬時局部發(fā)熱而導(dǎo)致破壞。另外,由于熱量不相配或開關(guān)頻率太高使芯片不能正常散熱時,持續(xù)的發(fā)熱使溫度超出溝道溫度導(dǎo)致熱擊穿的破壞。

MOS管損壞原因


第三種:內(nèi)置二極管破壞

在DS端間構(gòu)成的寄生二極管運行時,由于在Flyback時功率MOSFET的寄生雙極晶體管運行,導(dǎo)致此二極管破壞的模式。

MOS管損壞原因


第四種:由寄生振蕩導(dǎo)致的破壞

此破壞方式在并聯(lián)時尤其容易發(fā)生在并聯(lián)功率MOSFET時未插入柵極電阻而直接連接時發(fā)生的柵極寄生振蕩。高速反復(fù)接通、斷開漏極-源極電壓時,在由柵極-漏極電容

Cgd(Crss)和柵極引腳電感Lg形成的諧振電路上發(fā)生此寄生振蕩。當諧振條件(ωL=1/ωC)成立時,在柵極-源極間外加遠遠大于驅(qū)動電壓Vgs(in)的振動電壓,

由于超出柵極-源極間額定電壓導(dǎo)致柵極破壞,或者接通、斷開漏極-源極間電壓時的振動電壓通過柵極-漏極電容Cgd和Vgs波形重疊導(dǎo)致正向反饋,因此可能會由于誤動作引起振蕩破壞。


MOS管損壞原因

第五種:柵極電涌、靜電破壞

主要有因在柵極和源極之間如果存在電壓浪涌和靜電而引起的破壞,即柵極過電壓破壞和由上電狀態(tài)中靜電在GS兩端

(包括安裝和和測定設(shè)備的帶電)而導(dǎo)致的柵極破壞,MOS管損壞原因。

MOS管損壞原因

總結(jié):

避免MOS因為器件發(fā)熱而造成的損壞,需要做好足夠的散熱設(shè)計。若通過增加散熱器和電路板的長度來供所有MOS管散熱,這樣就會增加機箱的體積,同時這種散熱結(jié)構(gòu),風量發(fā)散,散熱效果不好。有些大功率逆變器MOS管會安裝通風紙來散熱,但安裝很麻煩。 所以MOS管對散熱的要求很高,散熱條件分為最低和最高,即在運行中的散熱情況的上下浮動范圍。一般在選購的時候通常采用最差的散熱條件為標準,這樣在使用的時候就可以留出最大的安全余量,即使在高溫中也能確保系統(tǒng)的正常運行。