MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是能夠?qū)φ{(diào)的，他們都是在P型中構(gòu)成的N型區(qū)。在多數(shù)狀況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即便兩端對調(diào)也不會影響半導體器件的性能。這樣的器件被以為是對稱的。

目前在市場應用方面，排名第一的是消費類電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應用范疇排名第二的是計算機主板、NB、計算機類適配器、LCD顯現(xiàn)器等產(chǎn)品，隨著國情的開展計算機主板、計算機類適配器、LCD顯現(xiàn)器對MOS管的需求有要超越消費類電子電源適配器的現(xiàn)象了。

第三的就屬網(wǎng)絡通訊、工業(yè)控制、汽車電子以及電力設備范疇了，這些產(chǎn)品關(guān)于MOS管的需求也是很大的，特別是如今汽車電子關(guān)于MOS管的需求直追消費類電子了。

下面對MOS失效的緣由總結(jié)以下六點，然后對1，2重點停止剖析：

1：雪崩失效(電壓失效)，也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超越MOSFET的額定電壓，并且超越到達了一定的才能從而招致MOSFET失效。

2：SOA失效(電流失效)，既超出MOSFET平安工作區(qū)惹起失效，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大，損耗過高器件長時間熱積聚而招致的失效。

3：體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管停止續(xù)流的拓撲構(gòu)造中，由于體二極管遭受毀壞而招致的失效。

4：諧振失效：在并聯(lián)運用的過程中，柵極及電路寄生參數(shù)招致震蕩惹起的失效。

5：靜電失效：在秋冬時節(jié)，由于人體及設備靜電而招致的器件失效。

6：柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰，而招致柵極柵氧層失效。

雪崩失效剖析(電壓失效)

到底什么是雪崩失效呢，簡單來說MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間，招致的一種失效形式。簡而言之就是由于就是MOSFET漏源極的電壓超越其規(guī)則電壓值并到達一定的能量限度而招致的一種常見的失效形式。

下面的圖片為雪崩測試的等效原理圖，做為電源工程師能夠簡單理解下。

可能我們經(jīng)常請求器件消費廠家對我們電源板上的MOSFET停止失效剖析，大多數(shù)廠家都僅僅給一個EAS.EOS之類的結(jié)論，那么到底我們怎樣辨別能否是雪崩失效呢，下面是一張經(jīng)過雪崩測試失效的器件圖，我們能夠停止比照從而肯定能否是雪崩失效。

雪崩失效的預防措施

雪崩失效歸根結(jié)底是電壓失效，因而預防我們著重從電壓來思索。詳細能夠參考以下的方式來處置。

1：合理降額運用，目前行業(yè)內(nèi)的降額普通選取80%-95%的降額，詳細狀況依據(jù)企業(yè)的保修條款及電路關(guān)注點停止選取。

2：合理的變壓器反射電壓。

3：合理的RCD及TVS吸收電路設計。

4：大電流布線盡量采用粗、短的規(guī)劃構(gòu)造，盡量減少布線寄生電感。

5：選擇合理的柵極電阻Rg。

6：在大功率電源中，能夠依據(jù)需求恰當?shù)膮⒓覴C減震或齊納二極管停止吸收。

SOA失效(電流失效)
再簡單說下第二點，SOA失效

SOA失效是指電源在運轉(zhuǎn)時異常的大電流和電壓同時疊加在MOSFET上面，形成瞬時部分發(fā)熱而招致的毀壞形式。或者是芯片與MOS散熱器及封裝不能及時到達熱均衡招致熱積聚，持續(xù)的發(fā)熱使溫度超越氧化層限制而招致的熱擊穿形式。

關(guān)于SOA各個線的參數(shù)限定值能夠參考下面圖片。

1：受限于最大額定電流及脈沖電流
2：受限于最大節(jié)溫下的RDSON。
3：受限于器件最大的耗散功率。
4：受限于最大單個脈沖電流。

5：擊穿電壓BVDSS限制區(qū)

我們電源上的MOSFET，只需保證能器件處于上面限制區(qū)的范圍內(nèi)，就能有效的躲避由于MOSFET而招致的電源失效問題的產(chǎn)生。這個是一個非典型的SOA招致失效的一個解刨圖，由于去過鋁，可能看起來不那么直接，參考下。

SOA失效的預防措施：

1：確保在最差條件下，MOSFET的一切功率限制條件均在SOA限制線以內(nèi)。

2：將OCP功用一定要做準確細致。在停止OCP點設計時，普通可能會取1.1-1.5倍電流余量的工程師居多，然后就依據(jù)IC的維護電壓比方0.7V開端調(diào)試RSENSE電阻。有些有經(jīng)歷的人會將檢測延遲時間、CISS對OCP實踐的影響思索在內(nèi)。但是此時有個更值得關(guān)注的參數(shù)，那就是MOSFET的Td(off)。它到底有什么影響呢，我們看下面FLYBACK電流波形圖(圖形不是太分明，非常負疚，倡議雙擊放大觀看)。

從圖中能夠看出，電流波形在快到電流尖峰時，有個下跌，這個下跌點后又有一段的上升時間，這段時間其實質(zhì)就是IC在檢測到過流信號執(zhí)行關(guān)斷后，MOSFET自身也開端執(zhí)行關(guān)斷，但是由于器件自身的關(guān)斷延遲，因而電流會有個二次上升平臺，假如二次上升平臺過大，那么在變壓器余量設計缺乏時，就極有可能產(chǎn)生磁飽和的一個電流沖擊或者電流超器件規(guī)格的一個失效。

3：合理的熱設計余量，這個就不多說了，各個企業(yè)都有本人的降額標準，嚴厲執(zhí)行就能夠了，不行就加散熱器。

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