元器件降額|MOS管二極管等器件降額規(guī)范-KIA MOS管

MOS管二極管等器件降額規(guī)范

二極管降額規(guī)范：二極管按功能可分為普通、開關、穩(wěn)壓等類型二極管;按工作頻率可分為低頻、高頻。

二極管;按耗散功率(或電流)可分為小功率(小電流)大功率(大電流)二極管。所有二極管需要降額的參數(shù)是基本相同的。

高溫是對二極管破壞性最強的應力，所以對二極管的功率和結溫必須進行降額;電壓擊穿是導致二極管失效的另一主要因素，所以二極管的電壓也需降額。

二極管最高結溫的降額，根據(jù)二極管相關詳細規(guī)范給出的最高結溫Tjmax而定，降額后的最高結溫見表：

注:

1、所有降額是在結溫降額滿足的情況下的要求。

2、參數(shù)額定值需要從datasheet 中查詢。

3、如果參數(shù)額定值與溫度、時間無關，可直接降額。

4、如果參數(shù)額定值與溫度有關，則選取結溫最高時的參數(shù)進行降額。

5、如果與時間有關，則通過查找datasheet對應的時間和溫度曲線，根據(jù)實際情況進行降額。

三極管mos管降額規(guī)范：

1.概述

晶體管按結構可分為雙極型晶體管、場效應晶體管（mos管）、單結晶體管等類型;按工作頻率可分為低頻晶體管和高頻晶體管;按耗散功率可分為小功率晶體管和大功率晶體管(簡稱功率晶體管)。

所有晶體管的降額參數(shù)是基本相同的，它們是電壓、電流和功率。但對MOS型場效應晶體管、 功率晶體管的降額又有特殊的要求。高溫是對晶體管破壞性最強的應力，因此晶體管的功耗和結溫須進行降額;

電壓擊穿是導致晶體管失效的另一主要因素，所以其電壓須降額。功率晶體管有二次擊穿的現(xiàn)象，因此要對它的安全工作區(qū)進行降額。

2.注意事項

（1）功率晶體管在遭受由于多次開關過程所致的溫度變化沖擊后會產生“熱疲勞”失效。使用時要根據(jù)功率晶體管的相關詳細規(guī)范要求限制殼溫的最大變化值。

（2）預計的瞬間電壓峰值和工作電壓峰值之和不得超過降額電壓的限定值。

（3）為保證電路長期可靠的工作，設計應允許晶體管主要參數(shù)的設計容差為:

電流放大系數(shù):±15% (適用于已經篩選的晶體管)±30% (適用于未經篩選的晶體管)

漏電流:+200%

開關時間:+20%

飽和壓降:+15%

晶體管最高結溫的降額

晶體管最高結溫的降額，根據(jù)晶體管相關詳細規(guī)范給出的最高結溫Tjmax而定，降額后的最高結溫見表：

功率晶體管安全工作區(qū)的降額

半導體光電器件降額規(guī)范:

1.概述

半導體光電器件主要有三類:發(fā)光、光敏器件或兩者的結合。發(fā)光類器件主要有發(fā)光二極管、發(fā)光數(shù)碼管，光敏類器件有光敏二極管、光敏三極管，常用的光電組合器件是光電耦合器，它由發(fā)光二極管和光敏三極管組成。

高結溫和結點高電壓是半導體光電器件主要的破壞性應力，結溫受結點電流或功率的影響，所以對半導體光電器件的結溫、電流或功率均需進行降額。

2.應用指南

（1）發(fā)光二極管驅動電路必須限制電流，通常用一個串聯(lián)的電阻來實現(xiàn)。

（2）一般不應采用經半波或全波整流的交流正弦波電流作為發(fā)光二極管的驅動電流。如果確要使用，則不允許其電流峰值超過發(fā)光二極管的最大直流允許值。

（3）在整個壽命期內，驅動電路應允許光電耦合器電流傳輸比在降低15%的情祝下仍能正常工作。

3.降額準則

半導體光電器件電壓、電流見表。其中:

a)電壓從額定值降額;

b)電流從額定值降額;

最高結溫降額根據(jù)光電器件相關詳細規(guī)范給出的最高結溫Tjmax而定。

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