MOS管電極知識與電極之間的區(qū)別解析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2020-12-28
所有的FET都有柵極(gate)、 漏極(drain)、 源極(source) 三個端，分別大致對應BJT的基極(base)、 集電極(collector) 和發(fā)射極(eritter)。
除JFET以外，所有的FeT也有第四端，被稱為體(body)、基(base)、 塊體(bu1k) 或襯底(substrate)。 這個第四端可以將晶體管調(diào)制至運行;在電路設計中，很少讓體端發(fā)揮大的作用，但是當物理設計一個集成電路的時候，它的存在就是重要的。
在圖中柵極的長度(1ength) L，是指源和漏的距離。寬度(width)是指晶體管的范圍，在圖中和橫截面垂直。通常情況下寬度比長度大得多。長度1微米的柵極限制最高頻率約為5GHz，0.2 微米則是約30GHz。
這些端的名稱和它們的功能有關。柵極可以被認為是控制一個物理柵的開關。這個柵極可以通過制造或者消除源極和漏極之間的溝道，從而允許或者阻礙電子流過。如果受一個加上的電壓影響，電子流將從源極流向漏極。
體很簡單的就是指柵、漏、源極所在的半導體的塊體。通常體端和一個電路中最高或最低的電壓相連，根據(jù)類型不同而不同。體端和源極有時連在一起，因為有時源也連在電路中最高或最低的電壓上。當然有時一些電路中FET并沒有這樣的結構，比如級聯(lián)傳輸電路和串疊式電路。
一、指代不同
1、源極：簡稱場效應管。僅是由多數(shù)載流子參與導電，與雙極型相反，也稱為單極型晶體管。
2、漏極：利用外部電路的驅動能力，減少IC內(nèi)部的驅動，?或驅動比芯片電源電壓高的負載。
二、原理不同
1、源極：在一塊N型半導體材料的兩邊各擴散一個高雜質(zhì)濃度的P型區(qū)（用P+表示），就形成兩個不對稱的P+N結。把兩個P+區(qū)并聯(lián)在一起，引出一個電極，稱為柵極（g），在N型半導體的兩端各引出一個電極。
2、漏極：將兩個P區(qū)的引出線連在一起作為一個電極，稱為柵極，在N型硅片兩端各引出一個電極。
MOS管的定義：場效應管的結構是在一塊N型半導體的兩邊利用雜質(zhì)擴散出高濃度的P型區(qū)域，其用P+表示，形成兩個P+N結。而N型半導體的兩端引出兩個電極，分別稱為漏極D和源極S。
把兩邊的P區(qū)引出電極并連在一起稱為柵極G。如果在漏、源極間加上正向電壓，N區(qū)中的多子（也就是電子）可以導電。它們從源極S出發(fā)， 流向漏極D。電流方向由D指向S，稱為漏極電流ID。
由于導電溝道是N型的，所以稱為N溝道結型場效應管。 場效應管（包括結型和絕緣柵型）的漏極與源極通常制成對稱的，漏極和源極可以互換使用。
但是有的絕緣柵場效應管在制造產(chǎn)品時已把源極和襯底連接在一起了 ，所以這種管子的源極和漏極就不能互換。有的管子則將襯底單獨引出一個管腳，形成四個管腳。一般情況P襯底接低電位，N襯底接高電位。
對于絕緣柵NMOS管，接高壓為漏端，接低壓為源端。PMOS剛好相反。從原理上，NMOS載流子是電子，由低電壓處提供，所以低壓端稱源端，PMOS載流子是空穴，由高壓處提供，所以高壓端稱源端。
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