MOS管i-v特性解析|圖文分享-KIA MOS管

MOS管i-v特性

原理圖

MOS管i-v特性-特性曲線和電流方程

MOS管i-v特性

與結(jié)型場效應(yīng)管一樣，其輸出特性曲線也可分為可變電阻區(qū)、飽和區(qū)、截止區(qū)和擊穿區(qū)幾部分。

轉(zhuǎn)移特性曲線如圖1(b)所示，由于場效應(yīng)管作放大器件使用時(shí)是工作在飽和區(qū)(恒流區(qū))，此時(shí)iD幾乎不隨VDs而變化，即不同的VDs 所對應(yīng)的轉(zhuǎn)移特性曲線幾乎是重合的，所以可用VDs 大于某一數(shù)值(vDs> VGs-VT)后的一條轉(zhuǎn)移特性曲線代替飽和區(qū)的所有轉(zhuǎn)移特性曲線。

iD與vGs的近似關(guān)系

與結(jié)型場效應(yīng)管相類似。在飽和區(qū)內(nèi)，iD與VGs的近似關(guān)系式為：

MOS管i-v特性

MOS管i-v特性-參數(shù)

MOS管的主要參數(shù)與結(jié)型場效應(yīng)管基本相同，只是增強(qiáng)型MOS管中不用夾斷電壓Vp，而用開啟電壓VT表征管子的特性。

各種場效應(yīng)管特性比較

MOS管i-v特性-MOS管導(dǎo)通特性

MOS管i-v特性

導(dǎo)通的意思是作為開關(guān)，相當(dāng)于開關(guān)閉合。

NMOS 的特性，Vgs 大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接地時(shí)的情況( 低端驅(qū)動(dòng))，只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。

PMOS的特性，Vgs 小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時(shí)的情況(高端驅(qū)動(dòng))。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅(qū)動(dòng)，但由于導(dǎo)通電阻大，價(jià)格貴，替換種類少等原因，在高端驅(qū)動(dòng)中，通常還是使用NMOS。

MOS開關(guān)管損失

MOS管i-v特性