場效應(yīng)管圖標(biāo)與特性干貨解析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-01-13
場效應(yīng)管圖標(biāo)：場效應(yīng)管一般具有3個電極:柵極G、源極S和漏極D(雙柵場效應(yīng)管有4個電極:柵極G1、極柵G2、源極S和漏極D)。
場效應(yīng)管的柵極G、源極S和漏極D的功能分別對應(yīng)于雙極型晶體管的基極B、發(fā)射極E和集電極C。由于場效應(yīng)管的源極S和漏極D是對稱的,實(shí)際使用中在多數(shù)情況下都可以互換。
場效應(yīng)管的特性曲線類型比較多,根據(jù)導(dǎo)電溝道的不同，以及是增強(qiáng)型還是耗盡型可有四種轉(zhuǎn)移特性曲線和輸出特性曲線，其電壓和電流方向也有所不同。
如果按統(tǒng)一規(guī)定正方向，特性曲線就要畫在不同的象限為了便于繪制，將P溝道管子的正方向反過來設(shè)定(電流方向)。有關(guān)曲線繪于下圖之中。
結(jié)型場效應(yīng)管N溝道
結(jié)型場效應(yīng)管P溝道
絕緣柵場效應(yīng)管N溝道增強(qiáng)型
絕緣柵場效應(yīng)管N溝道耗盡型
絕緣柵場效應(yīng)管P溝道增強(qiáng)型
絕緣柵場效應(yīng)管P溝道耗盡型
四種MOS管的比較:
1.對于P溝道器件，VDD必為負(fù)值，襯底必須接在電路中的最高電位上。對于N溝道器件，VDD必為正值， 襯底必須接在電路中的最低電位上。
2.就UGS而言，增強(qiáng)型器件是單極性的，其中P溝道為負(fù)值，N溝道為正值，而耗盡型器件則可正可負(fù)。
3.N溝道器件，UGS向正值方向增大，ID越大; P溝道器件，UGS越向負(fù)值方向增大，ID越大。
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