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KIA9N90H中文資料|原廠現(xiàn)貨,免費送樣-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2021-03-04 

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KIA9N90H中文資料900V9AMOS管

KIA9N90H中文資料900V9A-描述

這些n通道增強模式的功率場效應(yīng)晶體管是用仙童專有的平面條紋,DMOS技術(shù)。這項先進的技術(shù)已經(jīng)得到了特別的重視。定制最大限度地減少通態(tài)電阻,提供卓越的開關(guān)性能,并承受高雪崩和換向模式下的能量脈沖。


這些裝置非常適合高效率開關(guān)電源,有功功率因數(shù)校正,基于半橋的電子燈鎮(zhèn)流器pology。


KIA9N90H中文資料900V9A-特性

9A, 900V, RDS(on)=1.12Ω@VGS=10V

低柵電荷(典型70 nC)

低Crss(典型的14pF)

快速切換

100%雪崩測試

改進的dv / dt的能力

通過無鉛認證


KIA9N90H中文資料900V9A-封裝


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