電子電路|芯片功耗如何計算？-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-03-15
功耗是衡量一款芯片優(yōu)劣的重要指標之一。在實際的芯片后端設計中，功耗究竟是如何計算的呢？
芯片功耗：功耗本質(zhì)上就是電學術語中的功率，不同于一般簡單的電學器件，芯片的整體功耗很難通過簡單的電流，電壓或者電阻值的的相乘來計算。
其原因在于，由于芯片作為具有復雜功能的器件，其功耗會根據(jù)其不同時段的不同行為，不同的外部條件而發(fā)生很大的變化。
在實際設計中，一般會選取一些特定的條件，并輔以特定的功能設定來計算芯片功耗。
那么，芯片的整體功耗都有哪些組成部分呢？最根本的組成部分有兩個，即靜態(tài)功耗和動態(tài)功耗。
1. 靜態(tài)功耗(Static Power)，又稱漏電流功耗(Leakage Power)。其原理請參見下圖：
上圖中紅色箭頭表明了在通電狀態(tài)下PMOS內(nèi)主要的泄露電流及其走向，意即：
泄漏電流(Leakage Current) = 漏極->N-Well + Gate->N-Well + 源極->漏極
泄露電流存在的原因在于，MOS管中的多種摻雜區(qū)形成導電區(qū)域，同時這些區(qū)域會組成多個PN節(jié)，從而在通電后形成一系列微小的電流。
盡管在現(xiàn)今芯片的工作電壓已經(jīng)很低的前提下，每個MOS管的漏電流很小，但由于每顆芯片中集成的晶體管至多幾億甚至幾十億，積少成多，導致芯片的整體leakage power變得越來越恐怖。
在后端設計中，由于每個標準單元(standard cell)的leakage都集成在其liberty庫文件(.lib)中，因此計算leakage power只需在制定條件下將design中所有的標準單元(包括各種Macro)的leakage值相加即可。
目前所有的主流PR工具對此都有支持。需要指出的是，由于一個標準單元的leakage power和其面積成正比，因此在實際后端設計的各個階段，尤其是low power設計中，一般會重點關注芯片中邏輯門的面積變化并以此快速推斷design的leakage功耗變化。
2. 動態(tài)功耗(Dynamic Power)，主要是由于芯片中的寄生RC電路的充放電引起的。換言之，當芯片中的電路出現(xiàn)任何信號翻轉(zhuǎn)，都將會產(chǎn)生dynamic power，其中所占最大比例的就是clock信號的翻轉(zhuǎn)。
下圖展示了一個反相器(inverter)在信號翻轉(zhuǎn)時的簡單模型：
當我們把反相器簡化成一個簡單的rc電路時，就可以清晰的看清充放電時的電流走向。當芯片處于工作狀態(tài)時，每一個工作中的標準單元都會隨著clock or/and data的翻轉(zhuǎn)而不斷重復上述過程，從而產(chǎn)生大量的動態(tài)功耗。
在實際后端設計時，動態(tài)功耗由于和芯片的功能息息相關，因此在計算的時候會引入翻轉(zhuǎn)率(toggle rate)的概念。翻轉(zhuǎn)率是衡量單位時間內(nèi)device上信號翻轉(zhuǎn)時間所占的比率。
在實際計算dynamic功耗的時候，又會分成兩個部分。一部分為標準單元內(nèi)部的dynamic功耗，又名Internal Power，這部分的計算是嵌入liberty庫文件內(nèi)部，通過標準單元的input transition和output load來查表得到的；
另一部分為互連線(net)上的dynamic功耗，這部分的計算通過將所有net上每個翻轉(zhuǎn)周期的功耗乘以其翻轉(zhuǎn)率并相加得到。
反轉(zhuǎn)率通過某種固定格式的文件傳入EDA工具，比較常用的格式有SAIF(Switching Activity Interchange Format)、VCD(Value Change Dump)以及FSDB(Fast Signal Database)文件。
目前主流的PR工具均支持此類用法，但是signoff時仍然需要比較專業(yè)的power計算工具如Synopsys PrimeTime PX或Cadence Palladium等。
至此，我們基本了解了一顆芯片整體功耗的計算方法。而在現(xiàn)今十分重要的低功耗設計中，所有的手法都是從降低以上兩個方面(Static, Dynamic)的功耗著手的：
比如應用多個power domain以便在芯片的某一部分功能不用的時候?qū)⑵鋽嚯婈P閉；或者通過升級更先進的工藝來降低每個晶體管的size從而降低整體面積；抑或通過改善時鐘樹綜合手段來降低芯片中占比很大的clock network power。
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