MOS管電流源驅(qū)動(dòng)原理分析-KIA MOS管

MOS管電流源驅(qū)動(dòng)

本文采用電流源方式驅(qū)動(dòng)電路，研究電流源驅(qū)動(dòng)條件下的MOS管開(kāi)關(guān)特性，對(duì)驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行了細(xì)致分析。

MOS管電流源驅(qū)動(dòng)原理分析：

在傳統(tǒng)電壓源驅(qū)動(dòng)方式下，開(kāi)關(guān)管VT門(mén)極電容充電的過(guò)程中，充電電流、Cin 兩端電壓Ugs變化如圖1所示；

to時(shí)刻門(mén)極平均電流Ig達(dá)到峰值Ugate / RG，隨后快速下降，在t1~t2時(shí)刻由于發(fā)生miller電容效應(yīng)，Ugs不變，此時(shí)電流i可近似看成常數(shù)。

這段時(shí)間miller電容效應(yīng)明顯，隨著IG的減小，驅(qū)動(dòng)能力減弱，導(dǎo)致開(kāi)關(guān)時(shí)間長(zhǎng)、開(kāi)關(guān)損耗大。

為了減少miller電容效應(yīng)，若在開(kāi)關(guān)管門(mén)極電容充電的過(guò)程中，保持充電電流不變，如圖2所示；

(圖中Ipl-on、Ipl-off分別表示開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)米勒平臺(tái)電流，Ith-on、Ith-off分別表示開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)刻的門(mén)檻電流)，則開(kāi)關(guān)時(shí)間將縮短，開(kāi)關(guān)損耗降低。

基于這種思想，本文采用了電流源驅(qū)動(dòng)電路，通過(guò)特定的驅(qū)動(dòng)方式，在MOS管開(kāi)啟和關(guān)斷時(shí)，產(chǎn)生一個(gè)近似恒流的電源給其供電，縮短開(kāi)關(guān)時(shí)間，達(dá)到減少開(kāi)關(guān)損耗的目的。