廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司

國家高新企業(yè)

cn en

新聞中心

MOS管怎么放電?MOS管充放電原理解析-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2021-04-19 

分享到:

MOS管怎么放電?MOS管充放電原理解析-KIA MOS管


MOS管充放電原理

一、基本原理

MOS管本身有Cgs,Cgd,Cds寄生電容,這是由制作工藝決定的。MOS管的開通和關(guān)斷其實(shí)就是對(duì)Cgs充放電的過程。


開啟時(shí)通過柵極R1電阻對(duì)Cgs充電,充電時(shí)間常數(shù)=R1*Cgs。所以R1較大的話,時(shí)間常數(shù)就大了。這樣如果開關(guān)頻率很高的話,在脈寬的時(shí)間內(nèi)管子很可能無法正常導(dǎo)通。


MOS管 充放電


一般用方波來驅(qū)動(dòng)MOS管,由于Cgs的電容效應(yīng),驅(qū)動(dòng)波形發(fā)生畸變,如上圖。


所以gs波形的上升沿和下降沿會(huì)變緩,有時(shí)會(huì)產(chǎn)生振蕩,所以在布板的時(shí)候,驅(qū)動(dòng)環(huán)路一定要短,驅(qū)動(dòng)芯片周圍盡可能敷銅用地包起來,防止產(chǎn)生不必要的干擾。


二、參考電路

為了快速開通和關(guān)斷,提供以下兩種電路作為參考:


MOS管 充放電


當(dāng)OUT為高,由于D2反相,只能通過R1向MOS管充電,


當(dāng)OUT為低,gs電容通過R2,D2向驅(qū)動(dòng)放電。


R1,R2的值一般在10R左右,可根據(jù)測試的驅(qū)動(dòng)波形適當(dāng)調(diào)整參數(shù)。


下圖原理分析類似


MOS管 充放電


三、注意事項(xiàng)

MOS管gs間必須加一個(gè)5-10KΩ的放電電阻,這一點(diǎn)非常重要。


MOS管 充放電


理由有二:

1.防止在靜電作用下,電荷沒有釋放回路,容易引起靜電擊穿;


2.MOS管在開關(guān)狀態(tài)工作時(shí),就是不斷的給Cgs充放電,當(dāng)斷開電源時(shí),Cgs內(nèi)部可能儲(chǔ)存有一部分電荷,但是沒有釋放回路,MOS管柵極電場仍然存在且能保持很長時(shí)間,建立導(dǎo)電溝道的條件沒有消失。在下次開機(jī)時(shí),在導(dǎo)電溝道的作用下,MOS管立即產(chǎn)生不受控的巨大漏極電流Id,引起MOS管燒壞。



聯(lián)系方式:鄒先生

聯(lián)系電話:0755-83888366-8022

手機(jī):18123972950

QQ:2880195519

聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1


請(qǐng)搜微信公眾號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號(hào)

請(qǐng)“關(guān)注”官方微信公眾號(hào):提供  MOS管  技術(shù)幫助