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?KIA6N70 MOS管700V?5.8A現(xiàn)貨直銷 原廠供應(yīng)-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2021-04-27 

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KIA6N70 MOS管700V5.8A現(xiàn)貨直銷 原廠供應(yīng)-KIA MOS管


KIA6N70 MOS管700V5.8A參數(shù)規(guī)格


這種功率MOSFET是使用KIA的先進的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這種先進的技術(shù)特別適合最小化狀態(tài)上的電阻,提供優(yōu)越的開關(guān)性能,并在雪崩和換相模式下經(jīng)受高能量脈沖。這些器件適用于高效開關(guān)電源、基于半橋拓?fù)涞挠性垂β室驍?shù)校正。


KIA6N70 MOS管700V5.8A-特征


RDS(ON)典型值= 1.8Ω@ V GS = 10v

低柵極電荷(典型的16nc)

高耐用性

快速切換

100%雪崩測試

改進的dt/dt能力


產(chǎn)品型號:KIA6N70

工作方式:5.8A/700V

漏源電壓:700V

柵源電壓:±30V

漏電流連續(xù):5.8*A

脈沖漏極電流:150mJ

雪崩能量:4.8A

耗散功率:95W

熱電阻:110℃/W

漏源擊穿電壓:700V

溫度系數(shù):0.7V/℃

柵極閾值電壓:2.0V

輸入電容:650 PF

輸出電容:95 PF

上升時間:40 ns

封裝形式:TO-251、TO-252、TO-220F


KIA6N70 MOS管700V5.8A-封裝圖



KIA6N70 MOS管 700V5.8A

KIA6N70 MOS管 700V5.8A

KIA6N70 MOS管 700V5.8A

KIA6N70 MOS管 700V5.8A

KIA6N70 MOS管 700V5.8A




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