低壓小功率MOS管KIA30N06B 60V25A參數(shù) 原廠現(xiàn)貨-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-09-02
KIA半導(dǎo)體是一家致力于功率半導(dǎo)體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術(shù)型企業(yè)，竭誠(chéng)服務(wù)全球開關(guān)電源、綠色照明、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設(shè)備、數(shù)碼家電、安防工程等行業(yè)長(zhǎng)期合作伙伴，主動(dòng)了解客戶需求，不斷研發(fā)創(chuàng)新，為客戶提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。
KIA30N06B是極高電池密度的最高性能溝槽N-ch MOSFET ,它為大多數(shù)同步BUCK變換器的應(yīng)用提供了優(yōu)良的Rdson和柵電荷。KIA30N06B滿足RoHS和綠色產(chǎn)品要求，100%的EAS保證了全部功能的可靠性。
RDS(on) =25mΩ@ VDS=60V
先進(jìn)的高密度溝槽技術(shù)
超低端滑蓋裝
優(yōu)良的CDV/dt效應(yīng)遞減
100% EAS保證
綠色的可用設(shè)備
高頻點(diǎn)同步降壓變換器
網(wǎng)絡(luò)化DC-DC電源系統(tǒng)
負(fù)荷開關(guān)
產(chǎn)品型號(hào)：KIA30N06
工作方式：25A/60V
漏流電壓：60V
柵源電壓（連續(xù)）：±20V
連續(xù)漏電流：25A
脈沖漏極電流：50A
雪崩能量：22.6A
熱電阻：62℃/W
漏源擊穿電壓：60V
溫度系數(shù)：0.063V/℃
柵極閾值電壓：12V
輸入電容：1345 PF
輸出電容：72.5 PF
上升時(shí)間：14.2 ns
封裝形式：TO-251、TO-252
KIA本著“攜手客戶，創(chuàng)新設(shè)計(jì)，共同提升，服務(wù)市場(chǎng)”的理念，期待在您的大力支持下，使KIA成為MOSFET器件領(lǐng)域的優(yōu)秀mos管品牌。
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