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4.8A30V場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管KIA3400價(jià)格 資料 SOT-23封裝-KIA MOS管

信息來源：本站　日期：2022-04-01　

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4.8A30V場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管KIA3400價(jià)格 資料 SOT-23封裝-KIA MOS管


4.8A30V場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管KIA3400簡介

KIA半導(dǎo)體多年來一直堅(jiān)持創(chuàng)新技術(shù)，專注自主研發(fā)及制造MOS管，引進(jìn)多臺(tái)國外先進(jìn)設(shè)備，業(yè)務(wù)含括功率器件的直流參數(shù)檢測(cè)、雪崩能量檢測(cè)、可靠性實(shí)驗(yàn)、系統(tǒng)分析、失效分析等領(lǐng)域。強(qiáng)大的研發(fā)平臺(tái)，使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面擁有知識(shí)產(chǎn)權(quán)35項(xiàng)，并掌握多項(xiàng)場(chǎng)效應(yīng)管核心制造技術(shù)。


KIA3400采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供出色的RDS（on），低柵極電荷并在低至2.5V的柵極電壓下運(yùn)行。該裝置適用于負(fù)載開關(guān)或PWM應(yīng)用。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品KIA3400是無鉛的（符合ROHS和Sony 259規(guī)范）。KIA3400是一款綠色產(chǎn)品訂購選項(xiàng)。KIA3400在電氣上是相同的。


4.8A30V場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管KIA3400特征

VDS(V)=30V

RDS(on)<40mΩ(VGS=10V,ID=4.8A)

RDS(on)<42mΩ(VGS=4.5V,ID=4.0A)

RDS(on)<55mΩ(VGS=2.5V,ID=3.5A)


4.8A30V場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管KIA3400封裝圖


4.8A30V場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管KIA3400


4.8A30V場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管KIA3400參數(shù)

型號(hào)：KIA3400

漏源電壓：30V

柵源電壓：±12V

持續(xù)漏電流：4.8A

脈沖漏極電流:30A

結(jié)溫和儲(chǔ)存溫度范圍:-55℃-150℃

漏源擊穿電壓：30V


4.8A30V場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管KIA3400


4.8A30V場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管KIA3400

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4.8A30V場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管KIA3400



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