【電路分享】利用MOS管降低供電電壓-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-05-26
下面電路就是利用一顆N溝道MOS管來實現(xiàn)上電瞬間輸出高電壓，核心板啟動之后，輸出低電壓：
SAR_GPIO1引腳接的MCU 的GPIO口，先上datasheet：
電路上電瞬間，MCU還未啟動，SAR_GPIO1處于懸空狀態(tài)，MOS管Q2由R13上拉到3.3V，此時MOS管處于導(dǎo)通狀態(tài)，R11和R12并聯(lián)，并聯(lián)阻值為R11*R12/(R11+R12) = 75kΩ，即上圖的計算公式的R2阻值為75kΩ，根據(jù)上圖計算可知Vout = 1.05V。
MCU啟動之后，使SAR_GPIO1引腳輸出低電平，此時MOS管處于截止狀態(tài)，R12懸空，計算公式的R2的阻值為R11的阻值，100kΩ，Vout=0.6*（1+R1/R2） = 0.6*（1+50k/100k） = 0.9V。
這樣就實現(xiàn)了高電壓啟動，低電壓運行的目的。
KIA半導(dǎo)體是一家致力于功率半導(dǎo)體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術(shù)型企業(yè)，竭誠服務(wù)全球開關(guān)電源、綠色照明、電機驅(qū)動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設(shè)備、數(shù)碼家電、安防工程等行業(yè)長期合作伙伴，主動了解客戶需求，不斷研發(fā)創(chuàng)新，為客戶提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
免責(zé)聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權(quán)，請聯(lián)系刪除。
