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?4個(gè)MOS管驅(qū)動(dòng)的全橋電路原理-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2022-06-07 

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4個(gè)MOS管驅(qū)動(dòng)的全橋電路原理-KIA MOS管


全橋驅(qū)動(dòng)電路

全橋電路在實(shí)際的項(xiàng)目中運(yùn)用的也比較多(比如電機(jī),半導(dǎo)體制冷片等),有時(shí)候全橋芯片會(huì)達(dá)不到我們的需求(比如功率特別大的時(shí)候),這時(shí)就需要搭建一個(gè)符合我們需求的電路。


電路如下所示:由兩片IRF2104,、4片IIRF3703、兩個(gè)二極管和兩個(gè)10UF的電容組成。


C1、C2是自舉電容;

D1、D2自舉二極管;

IRF3703構(gòu)成H橋的4個(gè)橋臂;

MOS管 全橋電路

全橋電路


掌握此電路的核心就是要弄懂自舉電路是如何工作的?


下面簡(jiǎn)單介紹一下自舉電路:

自舉電路也叫升壓電路,利用自舉升壓二極管,自舉升壓電容等電子元件,利用電容不能突變的特性使電容放電電壓和電源電壓疊加,從而使電壓升高。


如下圖所示當(dāng)開關(guān)S1接3時(shí)MOS管導(dǎo)通此時(shí)C1負(fù)極與地相接電源通過(guò)D1、MOS管對(duì)電容進(jìn)行充電當(dāng)電路穩(wěn)定之后電容正端電壓對(duì)地為12V,負(fù)端對(duì)地電壓為0V。


MOS管 全橋電路

充電電路


當(dāng)如下圖所示MOS管關(guān)斷時(shí),由于電容電壓不能突變,電容和12V電源相接C1負(fù)端相對(duì)地為12V ,由于二極管反向截止,正端的對(duì)地電壓為電容充電電壓和電源電壓之和24V ,電容兩端的電壓為12V。


MOS管 全橋電路

放電電路


了解了自舉電路之后我們?cè)賮?lái)分析這個(gè)全橋電路就簡(jiǎn)單多了。


C1是自舉電容,它是在Q2導(dǎo)通(此時(shí)Q1必定截止)期間(看作C1下端接地)由12V經(jīng)D1完成充電的,等到Q2截止時(shí)C1下端就與地?cái)嚅_了,此時(shí)C1充有幅值等于12V的電壓,就會(huì)上舉使C1正端電位大于12V,因而使D1反偏而截止,這樣C1上的電壓充當(dāng)電源就給Q1柵極提供了正向?qū)ǖ钠珘?,使Q1導(dǎo)通。


 C1充電的條件就是下管Q2導(dǎo)通如果無(wú)此條件(例如占空比變化到Q2始終處于截止?fàn)顟B(tài))C1就自舉不了S1就無(wú)法導(dǎo)通,這時(shí)就要另用獨(dú)立電源來(lái)代替自舉電容。


在編程控制時(shí)特別要注意的是Q1、Q4同時(shí),Q2、Q4同時(shí)導(dǎo)通且不能交叉同事導(dǎo)通否則會(huì)燒壞MOS管,在功率大時(shí)也要注意MOS管要加散熱片。


IRF2104的控制

由芯片手冊(cè)提供的控制圖(如下圖所示)可知:當(dāng)SD=1時(shí),即允許使能IR2104芯片時(shí), Ho的波形與IN波形相同,Lo波形與IN波形則是反相的關(guān)系。


Ho是高電平時(shí),Lo就是低電平,反之Ho是低電平時(shí),Lo就是高電平;這樣使能芯片后我們控制輸入端的PWM波形的占空比就可以對(duì)負(fù)載進(jìn)行相應(yīng)的控制了。


MOS管 全橋電路



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