電動(dòng)工具、鋰電保護(hù)板推薦MOS管 KCX2704A：40V 150A-KIA MOS管

KIA MOS管-KCX2704A：40V 150A KCX2704A是由國(guó)內(nèi)專注研發(fā)的優(yōu)質(zhì)MOS管廠家生產(chǎn)。KCX2704A是一款SGT工藝產(chǎn)品，是使用LVMOS技術(shù)生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。改進(jìn)的工藝和單元結(jié)構(gòu)特別定制，以最小化導(dǎo)通電阻，提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能。該設(shè)備廣泛用于UPS和逆變器系統(tǒng)的電源管理等。

隨著手機(jī)快充、電動(dòng)汽車、無(wú)刷電機(jī)和鋰電池的興起，中壓MOSFET的需求越來(lái)越大，中壓功率器件開(kāi)始蓬勃發(fā)展，因其巨大的市場(chǎng)份額，國(guó)內(nèi)外諸多廠商在相應(yīng)的新技術(shù)研發(fā)上不斷加大投入。SGT MOSFET作為中MOSFET的代表，被作為開(kāi)關(guān)器件廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、逆變器系統(tǒng)及電源管理系統(tǒng)，是核心功率控制部件。

SGT MOSFET結(jié)構(gòu)具有電荷耦合效應(yīng)，在傳統(tǒng)溝槽MOSFET器件PN結(jié)垂直耗盡的基礎(chǔ)上引入了水平耗盡，將器件電場(chǎng)由三角形分布改變?yōu)榻凭匦畏植?，在采用同樣摻雜濃度的外延材料規(guī)格情況下，器件可以獲得更高的擊穿電壓。

較深的溝槽深度，可以利用更多的硅體積來(lái)吸收EAS能量，所以SGT在雪崩時(shí)可以做得更好，更能承受雪崩擊穿和浪涌電流。在開(kāi)關(guān)電源，電機(jī)控制，動(dòng)力電池系統(tǒng)等應(yīng)用領(lǐng)域中，SGT MOSFET配合先進(jìn)封裝，非常有助于提高系統(tǒng)的效能和功率密度。

SGT技術(shù)優(yōu)勢(shì)：

提升功率密度

SGT結(jié)構(gòu)相對(duì)傳統(tǒng)的Trench結(jié)構(gòu)，溝槽挖掘深度深3-5倍，可以橫向使用更多的外延體積來(lái)阻止電壓，顯著降低了MOSFET器件的特征導(dǎo)通電阻（Specific Resistance），例如相同的封裝外形PDFN5*6，采用SGT芯片技術(shù)，可以得到更低的導(dǎo)通電阻。

極低的開(kāi)關(guān)損耗

SGT相對(duì)傳統(tǒng)Trench結(jié)構(gòu)，具有低Qg 的特點(diǎn)。屏蔽柵結(jié)構(gòu)的引入，可以降低MOSFET的米勒電容CGD達(dá)10倍以上，有助于降低器件在開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中的開(kāi)關(guān)損耗。另外，CGD/CGS的低比值也是目前同步整流應(yīng)用中抑制shoot-through的關(guān)鍵指標(biāo)，采用SGT結(jié)構(gòu)，可以獲得更低的CGD/CGS比值。

更好的EMI優(yōu)勢(shì)

SGT MOS結(jié)構(gòu)中的內(nèi)置電阻電容緩沖結(jié)構(gòu)，可以抑制DS電壓關(guān)斷時(shí)的瞬態(tài)振蕩，開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中，SGT結(jié)構(gòu)中寄生的CD-shield和Rshield可以吸收器件關(guān)斷時(shí)dv/dt變化帶來(lái)的尖峰和震蕩，進(jìn)一步降低應(yīng)用風(fēng)險(xiǎn)。

40V 150A KCX2704A特點(diǎn)：

VGS=10V時(shí)，RDS（ON）=1.25mΩ（典型值）

低柵極電荷

低Crss

快速切換

額定極限dv/dt

100%雪崩測(cè)試

無(wú)鉛電鍍

符合RoHS

KCX2704A漏源擊穿電壓40V，漏極電流最大為150A；開(kāi)啟延遲典型值為22nS，關(guān)斷延遲時(shí)間典型值為87nS，上升時(shí)間64nS，下降時(shí)間28nS，反向傳輸電容43pF，反向恢復(fù)時(shí)間67nS，正向電壓的典型值1.4V。

圖：KCX2704A引腳配置

圖：KCX2704A規(guī)格書(shū)

【KCX2704A應(yīng)用】

40V 150A MOS管KCX2704A推薦用于鋰電池保護(hù)板、無(wú)人機(jī)電調(diào)、同步整流、電動(dòng)工具等。

KIA半導(dǎo)體是一家致力于功率半導(dǎo)體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術(shù)型企業(yè)，竭誠(chéng)服務(wù)全球開(kāi)關(guān)電源、綠色照明、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、汽車電子、新能源充電樁、太陽(yáng)能設(shè)備、數(shù)碼家電、安防工程等行業(yè)長(zhǎng)期合作伙伴，主動(dòng)了解客戶需求，不斷研發(fā)創(chuàng)新，為客戶提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。

聯(lián)系方式：鄒先生

聯(lián)系電話：0755-83888366-8022

手機(jī)：18123972950

QQ：2880195519

聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1

請(qǐng)搜微信公眾號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號(hào)

請(qǐng)“關(guān)注”官方微信公眾號(hào):提供  MOS管  技術(shù)幫助

免責(zé)聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來(lái)源其它出處，如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系刪除。