1000V 6A場效應管KNX45100A 參數引腳規(guī)格書-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-08-24
KNX45100A場效應管-漏源擊穿電壓高達1000V，漏極電流最大值為6A；RDS (on) = 2.0mΩ(typ)@VGS =10V。具有低電荷最小化開關損耗，低反向傳輸電容，開關速度快等優(yōu)點，適用于備用電源，充電樁等應用。封裝形式：TO-220、TO-220F、TO-252；腳位排列位GDS。
符合RoHS
RDS（ON），典型=2.0Ω@VGS=10V
低柵極電荷最小化開關損耗
快速恢復體二極管
適配器
充電器
SMPS備用電源
KIA半導體專業(yè)生產MOS管場效應管廠家（國家高新技術企業(yè)）成立于2005年，公司成立初期就明確立足本土市場，研發(fā)為先導，了解客戶需求，運用創(chuàng)新的集成電路設計方案和國際同步研發(fā)技術，結合中國市場的特點，向市場推出了BIPOLAR,CMOS,MOSSFET等電源相關產品，產品的穩(wěn)定性，高性價比，良好的服務，以及和客戶充分的技術，市場溝通的嚴謹態(tài)度，在移動數碼，LCE,HID,LED,電動車，開關電源，逆變器，節(jié)能燈等領域深得客戶認可。
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