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28n50場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù),28n50?代換,28A 500V,逆變器-KIA MOS管

信息來(lái)源：本站　日期：2023-09-18　

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28n50場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù) 28A 500V

高壓大功率MOS管KIA28N50漏源擊穿電壓高達(dá)500V，漏極電流最大為28A；RDS（on）（典型值）=0.16mΩ@Vgs=10V，具有低電荷最小化開(kāi)關(guān)損耗，開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于車載逆變器、LED電源、手機(jī)充電器、備用電源等。封裝形式：TO-3P、TO-220F。


28n50場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù) 28A 500V-優(yōu)勢(shì)

RDS（ON）=0.16Ω（典型值）@VGS=10V

低柵極電荷

低Crss

100%雪崩Aested

提高dv/dt能力

符合RoHS


28n50場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù) 28A 500V-應(yīng)用

LED電源

手機(jī)充電器

備用電源


28n50場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù) 28A 500V-封裝圖

28n50場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù),28A 500V


28n50場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù) 28A 500V-參數(shù)

28n50場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù),28A 500V

28n50場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù),28A 500V


28n50場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù) 28A 500V功率MOSFET采用KIA先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)，可以最大限度地減少導(dǎo)通電阻，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能，并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。這些設(shè)備非常適合高效開(kāi)關(guān)模式電源，基于半橋拓?fù)涞挠性垂β室驍?shù)校正。歡迎來(lái)電咨詢，免費(fèi)送樣！


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