電機(jī)驅(qū)動(dòng)板場(chǎng)效應(yīng)管,專用mos管,35P10參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-11-02
電機(jī)驅(qū)動(dòng)在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中占據(jù)核心地位，如果電機(jī)驅(qū)動(dòng)發(fā)生故障就很容易導(dǎo)致?lián)p失，因此對(duì)于電機(jī)驅(qū)動(dòng)廠家在使用任何元器件時(shí)都值得慎重考慮的，例如元器件之一MOS管，選擇優(yōu)質(zhì)的場(chǎng)效應(yīng)管可以讓電機(jī)驅(qū)動(dòng)提升效率，減少損耗。
KIA35P10A是一款自動(dòng)化設(shè)備的電機(jī)驅(qū)動(dòng)專用MOS管，采用先進(jìn)的溝槽MOSFET技術(shù)，提供出色的RDS（ON）和柵極電荷。KIA35P10A漏源擊穿電壓-100V, 漏極電流-35A ,RDS(on) =42mΩ(typ)@VGS=10V，封裝形式：TO-252；具有高雪崩耐量、可靠性高、低Qgd、低RDSon的特點(diǎn)，可最大限度地減少導(dǎo)通損耗，提供卓越的開關(guān)性能；符合RoHS和綠色產(chǎn)品要求，100%EAS保證，全功能可靠性得到認(rèn)可。
KIA35P10A特性：
RDS（開）=42mΩ（典型值）@VGS=10V
100%EAS保證
綠色設(shè)備可用
超低柵極電荷
出色的Cdv/dt效應(yīng)下降
先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)
電機(jī)驅(qū)動(dòng)板場(chǎng)效應(yīng)管,35P10參數(shù)詳情
工作方式：-35A/ -100V
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流:-100A
單脈沖雪崩能量:345mJ
雪崩電流：28A
總功耗：104W
操作和儲(chǔ)存溫度范圍：-55℃至+150℃
漏源擊穿電壓：-100V
柵源漏電流:±100nA
輸入電容：4920pF
輸出電容：223pF
反向轉(zhuǎn)移電容：125pF
KIA半導(dǎo)體是一家致力于功率半導(dǎo)體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術(shù)型企業(yè)，竭誠(chéng)服務(wù)全球開關(guān)電源、綠色照明、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設(shè)備、數(shù)碼家電、安防工程等行業(yè)長(zhǎng)期合作伙伴，主動(dòng)了解客戶需求，不斷研發(fā)創(chuàng)新，為客戶提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。
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