p06p03lvg場效應(yīng)管參數(shù)引腳圖,p06p03lvg代換-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2023-11-20
KIA7P03A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓-30V,漏極電流為-7.5A;采用先進的高密度溝槽技術(shù),具有超低柵電荷、優(yōu)良的CDV / dt效應(yīng)遞減等;封裝形式:SOP-8。
KIA7P03A場效應(yīng)管非常適合應(yīng)用于鋰電池保護板、智能醫(yī)療等產(chǎn)品領(lǐng)域,KIA7P03A場效應(yīng)管可以代換NIKO-SEM(尼克森) 場效應(yīng)管P06P03LVG型號進行使用,KIA7P03A是高密度溝槽p-CH MOSFET,提供出色的導(dǎo)通電阻和大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的柵極電荷。KIA7P03A滿足RoHs和綠色產(chǎn)品要求。
RDS(ON)= 18mΩ(典型值)@ VGS = 10 V
超低柵電荷
綠色的可用設(shè)備
優(yōu)良的CDV / dt效應(yīng)遞減
先進的高密度溝槽技術(shù)
產(chǎn)品型號:KIA7P03A
工作方式:-7.5A/-30V
漏源電壓:-30V
柵源電壓:±20V
漏電流連續(xù):-7.5A
脈沖漏極電流:-50A
雪崩電流:-38A
雪崩能量:72.2mJ
耗散功率:31W
熱電阻:40℃/W
漏源擊穿電壓:-30V
溫度系數(shù):-0.022V/℃
柵極閾值電壓:2.5V
輸入電容:1345PF
輸出電容:194PF
上升時間:19.6ns
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