irf730場效應管參數(shù),irf730參數(shù)及代換,PDF中文資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-12-22
漏源電壓（Vdss）：400V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：5.5A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）：38nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：700pF @ 25V
功率耗散（最大值）：74W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）：1 歐姆 @ 3.3A，10V
irf730場效應管可以使用KIA730H這一款漏源擊穿電壓400V，漏極電流6A，RDS(ON)，typ.=0.83Ω@VGS=10V，性能出色的N溝道增強型硅柵極功率MOSFET替代，專為高壓、高速功率開關(guān)應用而設計，如開關(guān)電源、逆變器、螺線管、電機驅(qū)動器、開關(guān)轉(zhuǎn)換器。
KIA730H 400V 6A場效應管具有較低的導通電阻，低柵極電荷（典型值為20nC），快速切換能力，優(yōu)越的開關(guān)性能，改進的dv/dt能力，極高的雪崩擊穿耐量，可最大限度地減少導通損耗；KIA730H封裝：TO-220、200F、251、252，封裝形式多樣，以滿足不同需求。
漏源電壓：400V
柵源電壓：±30V
漏電流連續(xù)：6.0A
脈沖漏極電流：24A
雪崩能量：270mJ
耗散功率：73W
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：520PF
輸出電容：80PF
上升時間：60ns
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