廣東可易亞半導體科技有限公司

國家高新企業(yè)

cn en

新聞中心

30h10k場效應管參數引腳圖,代換,LED,保護板mos選型-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2024-01-03 

分享到:

30h10k場效應管參數引腳圖,代換,LED,保護板mos選型-KIA MOS管


30h10k場效應管參數引腳圖

VDS =30V,ID =100A

RDS(ON) <5.5mΩ @ VGS=10V (Typ:4mΩ)

漏源電壓(Vdss):30V

連續(xù)漏極電流(Id):100A

功率(Pd):110W

導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,20A

閾值電壓(Vgs(th)@Id):3V@250uA

30h10k場效應管參數,LED,保護板

30h10k場效應管代換,LED,保護板mos管KND3203B

KND3203B場效應管采用CRM(CQ)先進溝槽MOS技術,漏源擊穿電壓30V,漏極電流100A,RDS(on)=3.1mΩ@VGS=10V,提供低柵極電荷的優(yōu)異RDS(ON),能夠替代30h10k型號進行使用,封裝形式:TO-252,在鋰電池保護板、小功率LED等領域熱銷,高效率低損耗。KND3203B代換30h10k場效應管還可以用于電機控制與驅動、電池管理、UPS等應用領域。

30h10k場效應管參數,LED,保護板

KNX3403A 30V 100A場效應管具有極低通阻RDS(通)、快速切換特點,低Rds開啟以最大限度地減少導電損耗,最小化開關損耗等特性,符合JEDEC標準,確保鋰電池保護板的性能穩(wěn)定可靠。


30h10k場效應管代換,KND3203B參數

漏源極電壓:30V

漏極電流:100A

柵源電壓:±20V

脈沖漏電流:320A

雪崩能量單脈沖:256MJ

最大功耗:101W

柵極閾值電壓:2V

輸入電容:2340PF

輸出電容:460PF

開通延遲時間:11nS

關斷延遲時間:34nS

上升時間:102ns

下降時間:95ns


30h10k場效應管代換,KND3203B規(guī)格書

30h10k場效應管參數,LED,保護板

30h10k場效應管參數,LED,保護板

KIA半導體MOS管具備強大的核心競爭力,是開關電源生產廠家的優(yōu)質選擇。KIA半導體MOS管廠家主要研發(fā)、生產、經營:場效應管(MOS管)、COOL MOS(超結場效應管)、三端穩(wěn)壓管、快恢復二極管;廣泛應用于逆變器、鋰電池保護板、電動車控制器、HID車燈、LED燈、無刷電機、礦機電源、工業(yè)電源、適配器、3D打印機等領域;可申請免費送樣以及報價、技術支持服務。


聯(lián)系方式:鄒先生

聯(lián)系電話:0755-83888366-8022

手機:18123972950(微信同號)

QQ:2880195519

聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)金田路3037號金中環(huán)國際商務大廈2109


請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號

請“關注”官方微信公眾號:提供  MOS管  技術幫助

免責聲明:本網站部分文章或圖片來源其它出處,如有侵權,請聯(lián)系刪除。