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步進馬達驅(qū)動MOS管,75nf75場效應(yīng)管參數(shù)引腳圖-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2024-01-31 

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步進馬達驅(qū)動MOS管,75nf75場效應(yīng)管參數(shù)引腳圖-KIA MOS管


步進馬達驅(qū)動,75nf75場效應(yīng)管

步進電機驅(qū)動器采用單極性直流電源供電。只要對步進電機的各相繞組按合適的時序通電,就能使步進電機步進轉(zhuǎn)動。


然而,步進電機不能直接接到工頻交流或直流電源上工作,而必須使用專用的步進電機驅(qū)動器,它有脈沖發(fā)生控制單元、功率驅(qū)動單元、保護單元等組成。驅(qū)動單元與步進電機直接耦合,也可以理解成步進電機微機控制器的功率接口。MCU相當(dāng)于是控制電機的大腦,它向分立器件發(fā)送電機的步距角時間、轉(zhuǎn)動方向和重復(fù)次數(shù)等,而分立器件根據(jù)MCU發(fā)出的信號,將放大電壓和電流并將其發(fā)送至電機,從而驅(qū)動電機轉(zhuǎn)動。


有刷電機驅(qū)動核心電路H橋加上一些必要的外圍電路,共同組成直流有刷電機的驅(qū)動器。集成電路形式的H橋,一般用于中小功率。分立元件形式的H橋,通常用于大功率或者超大功率需求,主要由MOSFET或IGBT晶體管組成。MCU的引腳,無法直接驅(qū)動MOS管等元件,需要加上專用的MOS管驅(qū)動芯片。直流有刷電機驅(qū)動芯片L298N,內(nèi)部集成了兩個H橋。L298N芯片,能夠驅(qū)動4.5V~46V、2A以下電機,電流峰值輸出達3A。實際應(yīng)用中,不能通過交換電源線實現(xiàn)正轉(zhuǎn)和反轉(zhuǎn)的控制,可以用一個H橋電路來驅(qū)動電機。


從以上的作用可以看出,步進電機驅(qū)動器是一個非常重要的產(chǎn)品。因此選擇好的MOS管才能保證產(chǎn)品的質(zhì)量。


KIA75NF75場效應(yīng)管漏源擊穿電壓為80V,漏極電流為80A,RDS(ON)參數(shù)為7mΩ(典型值)@VGS=10V,能夠最大限度地減少導(dǎo)電損耗。這款場效應(yīng)管還具備無鉛和綠色設(shè)備的特點,符合環(huán)保要求。它采用了先進的技術(shù),以確保低Rds開啟,減少了導(dǎo)電損耗,使其具備更高的效率。KIA75NF75場效應(yīng)管還具備高雪崩電流的特點,可以在運行時承受更高的沖擊負載,提供更穩(wěn)定和可靠的性能。


在電源方面,KIA75NF75場效應(yīng)管非常適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器。它可以在轉(zhuǎn)換電路中高效地實現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換,并滿足不同應(yīng)用的供電需求。同時,它還能夠在各種高壓、大電流的場景中保持穩(wěn)定的工作,為整個系統(tǒng)提供可靠的電源支持。


步進馬達驅(qū)動,75nf75場效應(yīng)管引腳圖

步進馬達驅(qū)動,75nf75場效應(yīng)管

步進馬達驅(qū)動,75nf75場效應(yīng)管參數(shù)

漏源電壓:80V

漏極電流:80A

柵源電壓:±25V

脈沖漏電流:340A

雪崩能量單脈沖:529MJ

最大功耗:240W

輸入電容:3110PF

輸出電容:445PF

開通延遲時間:20.4nS

關(guān)斷延遲時間:67nS

上升時間:63ns

下降時間:43ns


步進馬達驅(qū)動,75nf75場效應(yīng)管規(guī)格書

步進馬達驅(qū)動,75nf75場效應(yīng)管

步進馬達驅(qū)動,75nf75場效應(yīng)管

KIA75NF75場效應(yīng)管以其出色的性能和功能,在各種電子設(shè)備中發(fā)揮著重要作用。它的低導(dǎo)通損耗、高雪崩電流和環(huán)保特性使其成為一款理想的選擇,既滿足了能量傳輸?shù)母咝室?,又符合了環(huán)境保護的需求。


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