13n50場效應管參數,13n50場效應管代換-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-02-19
KIA13N50H是一款N溝道增強型硅柵功率MOSFET，專為高壓、高速功率開關應用而設計，如高效開關電源、有源功率因數校正、基于半橋拓撲的電子燈鎮(zhèn)流器。
漏極至源極電壓（VDSS）：500V
柵源電壓（VGSS）：±30V
漏極電流 （連續(xù)）（lD）：13A
漏極和源極通態(tài)電阻（RDS(on)）：0.4Ω
耗散功率（PD）：195/48W
工作溫度：±150℃
KIA13N50H場效應管參數13A 150V，RDS（ON）= 0.4Ω@ V GS = 10v；具有低柵極電荷（典型的45nc）、快速切換的能力、雪崩能量、改進的dt／dt能力等特性，這款場效應管適用于電子鎮(zhèn)流器、DC-AC電源轉換器、DC-DC電源轉換器、高壓H橋PMW馬達驅動、500W逆變器后級電路/開關電源等產品。
KIA13N50H場效應管封裝形式有TO-220、TO-220、TO-263可供選擇使用，方便安裝應用，13N50場效應管在開關電源、逆變器、電動車、LED照明、家電、鋰電保護、電機控制器等領域有廣泛的應用。
漏源電壓：500V
漏極電流：13A
柵源電壓：±30V
雪崩能量單脈沖：860MJ
最大功耗：195/48W
輸入電容：1600PF
輸出電容：200PF
開通延遲時間：25nS
關斷延遲時間：130nS
上升時間：100ns
下降時間：100ns
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區(qū)金田路3037號金中環(huán)國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。
