6n65場效應管參數(shù)代換,6n65場效應管引腳圖規(guī)格書-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-03-08
6n65場效應管漏極電流5.5A，漏源擊穿電壓為650V，RDS（ON）=1.9Ω @ VGS=10V；具有低柵極電荷，典型值為16nC，為電路設計提供了更多的靈活性；高堅固性，能夠在各種環(huán)境條件下可靠工作，確保設備的穩(wěn)定性和可靠性；以及快速切換能力，能夠帶來更高的效率和更快的響應速度；指定雪崩能量，保證在高壓下的可靠性和穩(wěn)定性；改進的dv/dt能力使得它在高速開關(guān)應用中表現(xiàn)出色，能夠有效減少電路中的噪音和干擾，可以保證其穩(wěn)定可靠的性能。
KIA6N65H N溝道增強型硅柵極功率MOSFET專為高壓、高速功率開關(guān)應用而設計，如開關(guān)穩(wěn)壓器、開關(guān)轉(zhuǎn)換器、螺線管、電機驅(qū)動器、繼電器驅(qū)動器適用于多種電子應用領(lǐng)域，封裝形式：TO-252，能夠替代其他品牌6n65型號。
漏源電壓：650V
柵源電壓：±30V
漏電流連續(xù)：5.5A
脈沖漏極電流：16.0A
雪崩能量：300mJ
耗散功率：80W
熱電阻：50*（110）℃/W
漏源擊穿電壓：650V
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：620 PF
輸出電容：65 PF
上升時間：45 ns
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