12n65場效應管參數(shù)代換,12n65場效應管引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-03-15
KIA12N65H N溝道增強型硅柵功率MOSFET專為高壓、高速功率開關應用而設計，如高效開關電源、有源功率因數(shù)校正、基于半橋拓撲的電子燈鎮(zhèn)流器。KIA12N65H場效應管漏極電流12A，漏源擊穿電壓650V，RDS（on）為0.63?，在VGS為10V時表現(xiàn)出色、低柵極電荷，典型值為52nC，使得它在高頻率下仍能表現(xiàn)穩(wěn)定、快速切換能力在電路中能夠迅速響應信號變化，確保信號傳輸?shù)臏蚀_性、雪崩能量規(guī)定和改進的dv/dt能力增強了穩(wěn)定性及安全性，保障電路運行的穩(wěn)定性。
KIA12N65H封裝形式：TO-220F，適用于開關電源和LED驅動等場景，使其在各種應用中都能夠發(fā)揮出色的效果。KIA12N65H場效應管不僅在性能上有著出色的表現(xiàn)，同時在穩(wěn)定性和安全性方面也具備了極高的標準，能夠滿足各種復雜電路的需求。
漏源電壓：650V
柵源電壓：±30V
漏電流連續(xù)：12.0*A
脈沖漏極電流：48.0*A
雪崩能量：865mJ
耗散功率：54W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：650V
溫度系數(shù)：0.7V/℃
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：1850 PF
輸出電容：180 PF
上升時間：90 ns
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