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7n80場效應(yīng)管參數(shù),7n80c場效應(yīng)管參數(shù)代換-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2024-03-19 

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7n80場效應(yīng)管參數(shù),7n80c場效應(yīng)管參數(shù)代換-KIA MOS管


7n80場效應(yīng)管參數(shù)引腳圖

KIA7N80場效應(yīng)管是一款性能出色的電子器件,具有極高的可靠性和穩(wěn)定性,7n80漏極電流7A,漏源擊穿電壓800V,RDS(on)僅為1.4Ω@ VGS=10V,柵極電荷低,僅為27nC,快速切換,操作高效,還具備高堅(jiān)固性,經(jīng)過100%雪崩測試,改進(jìn)的DV/DT功能,進(jìn)一步提升了性能表現(xiàn)。


KIA7N80場效應(yīng)管是一款非常值得信賴的電子元件,大大提升了電路的性能和穩(wěn)定性,為電子設(shè)備提供穩(wěn)定可靠的支持,適用于開關(guān)電源和LED驅(qū)動等領(lǐng)域,7N80封裝形式:TO-220、TO-220F,可代換仙童等品牌型號。

7n80場效應(yīng)管參數(shù),代換

7n80場效應(yīng)管參數(shù)代換詳情

漏源電壓:800V

柵源電壓:±30V

漏電流連續(xù):7.0A

脈沖漏極電流:28A

雪崩能量:650mJ

耗散功率:167W

熱電阻:62.5℃/W

漏源擊穿電壓:800V

溫度系數(shù):1V/℃

柵極閾值電壓:3.0V

輸入電容:1300 PF

輸出電容:120 PF

上升時間:100 ns


7n80場效應(yīng)管參數(shù)代換規(guī)格書

7n80場效應(yīng)管參數(shù),代換

7n80場效應(yīng)管參數(shù),代換

KIA7N80場效應(yīng)管是使用先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這項(xiàng)先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過專門定制,可最大限度地減少導(dǎo)通電阻,提供卓越的開關(guān)性能,并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。這些設(shè)備非常適合高效開關(guān)模式電源、基于半橋拓?fù)涞挠性垂β室驍?shù)校正。


聯(lián)系方式:鄒先生

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