廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司

國家高新企業(yè)

cn en

新聞中心

40n120參數(shù)及代換,變頻器MOS管KSZ040N120A參數(shù)-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2024-03-26 

分享到:

40n120參數(shù)及代換,變頻器MOS管KSZ040N120A參數(shù)-KIA MOS管


40n120參數(shù),KSZ040N120A

碳化硅MOS管KSZ040N120A具有60A 1200V的參數(shù)特性,RDS(ON)僅為40mΩ(典型值)在VGS=20V,TJ=25℃條件下,在高電壓下能夠擁有較低的導(dǎo)通電阻,同時(shí)表現(xiàn)出優(yōu)異的高速開關(guān)性能。40n120具有雪崩耐量,可靠性高,適用于軌道交通、變頻器、充電樁等領(lǐng)域。


KSZ040N120A的設(shè)計(jì)考慮了平行連接和簡(jiǎn)單驅(qū)動(dòng)的便利性,在實(shí)際工程中易于應(yīng)用和控制,符合無鹵素,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),高電壓承受能力,低電阻特性以及穩(wěn)定可靠的工作表現(xiàn),能夠在各種應(yīng)用、環(huán)境中高效穩(wěn)定運(yùn)行。

40n120參數(shù),KSZ040N120A

40n120參數(shù),KSZ040N120A參數(shù)

漏源電壓:1200V

漏極電流:60A

漏源通態(tài)電阻(RDS(on)):40mΩ

柵源電壓:-5/+18V

脈沖漏電流:100A

雪崩能量單脈沖:934MJ

最大功耗:375W

輸入電容:3110PF

輸出電容:185PF

總柵極電荷:148nC

開通延遲時(shí)間:23nS

關(guān)斷延遲時(shí)間:39nS

上升時(shí)間:47ns

下降時(shí)間:53ns


40n120參數(shù),KSZ040N120A規(guī)格書


40n120參數(shù),KSZ040N120A


聯(lián)系方式:鄒先生

聯(lián)系電話:0755-83888366-8022

手機(jī):18123972950(微信同號(hào))

QQ:2880195519

聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)金田路3037號(hào)金中環(huán)國際商務(wù)大廈2109


請(qǐng)搜微信公眾號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號(hào)

請(qǐng)“關(guān)注”官方微信公眾號(hào):提供  MOS管  技術(shù)幫助

免責(zé)聲明:本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處,如有侵權(quán),請(qǐng)聯(lián)系刪除。