40v pmos管,P40v MOS管,場效應管TO-252/DFN5X6-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-04-17
KPX3204B是一款優(yōu)質高效的低壓P溝道MOS管，先進的高單元密度溝槽，提供出色的RDS（導通）和超低柵極電荷、100%EAS保證、綠色設備可用、出色的CdV/dt效應下降。
RDS(ON)=3.2mΩ (typ.) @ VGS=-10V
漏極電流 (ID) ：-100A
漏源擊穿電壓 (VDS(ON)) ：-40V
柵極電荷（Qg）：115 nC
功耗 (PDM) ：83W
漏極電流 (ID) ：-85A
漏源擊穿電壓 (VDS(ON)) ：-40V
柵極電荷（Qg）：115 nC
功耗 (PDM) ：58W
RDS（ON）=5mΩ（典型值）@VGS=-10V
40v pmos管,P40v MOS管,KPX3404A特性：超低柵極電荷、100%EAS保證、綠色設備可用、出色的CdV/dt效應下降、先進的高單元密度溝槽。
KIA半導體MOS管具備強大的核心競爭力，是開關電源生產廠家的優(yōu)質選擇。KIA半導體MOS管廠家主要研發(fā)、生產、經營：場效應管（MOS管）、COOL MOS（超結場效應管）、三端穩(wěn)壓管、快恢復二極管；廣泛應用于逆變器、鋰電池保護板、電動車控制器、HID車燈、LED燈、無刷電機、礦機電源、工業(yè)電源、適配器、3D打印機等領域；可申請免費送樣以及報價、技術支持服務。
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