功放場(chǎng)效應(yīng)管,功放MOS管,6165場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-06-04
KNF6165B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓650V，漏極電流10A，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，適用于音響功放、適配器、充電器和SMPS備用電源等多種應(yīng)用場(chǎng)景，RDS（ON）典型值為0.75Ω，在VGS為10V時(shí)性能出色，低柵極電荷的最小化設(shè)計(jì)有效降低開關(guān)時(shí)的損耗，配備快速恢復(fù)體二極管，在電路切換時(shí)能夠更加穩(wěn)定可靠。6165場(chǎng)效應(yīng)管不僅在功率放大和電源管理方面表現(xiàn)出色，而且在節(jié)能和穩(wěn)定性方面也具備出色的性能表現(xiàn)，在家庭音響系統(tǒng)、工業(yè)設(shè)備的電源控制中都能發(fā)揮重要作用，為電路的高效運(yùn)行提供穩(wěn)定可靠的支持。
漏源電壓：650V
漏極電流：10A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：0.75Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：40A
雪崩能量單脈沖：800MJ
總功耗：125/45W
總柵極電荷：30nC
輸入電容：1650PF
輸出電容：125PF
開通延遲時(shí)間：10nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：41nS
上升時(shí)間：15ns
下降時(shí)間：16ns
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