電池管理系統(tǒng)BMS,1810場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù),KCT1810A原廠-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2024-07-05
在電池管理系統(tǒng)（BMS）中，MOS管在其中起到了檢測(cè)過(guò)充電，過(guò)放電，充放電過(guò)流等作用，正確選擇適合的MOS管至關(guān)重要。需要考慮的參數(shù)包括耐壓能力、導(dǎo)通電阻、開關(guān)速度等。耐壓能力應(yīng)略高于系統(tǒng)工作電壓，以保證穩(wěn)定性；導(dǎo)通電阻應(yīng)盡量低，以降低能量損耗；開關(guān)速度要快，以提高效率和響應(yīng)速度。
KCT1810A功率MOSFET采用先進(jìn)的SGT技術(shù)，漏源擊穿電壓100V，漏極電流240A，極低的導(dǎo)通電阻RDS（開啟）典型值=1.6mΩ@VGS=10V，減小損耗；具有優(yōu)秀的柵極電荷x RDS（on）產(chǎn)品（FOM），提高效率、穩(wěn)定可靠，適用于電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)、電池管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器及通用應(yīng)用程序，封裝形式：TOLL-8。
漏源電壓：100V
漏極電流：240A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：1.6mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：960A
雪崩能量單脈沖：1936MJ
總功耗：313W
總柵極電荷：165nC
輸入電容：15016PF
輸出電容：1472PF
開通延遲時(shí)間：37nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：85nS
上升時(shí)間：112ns
下降時(shí)間：115ns
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