nce30p30k,30A 30V場效應(yīng)管,KIA30N03B參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-07-11
KIA30N03B采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)，性能出色，漏源擊穿電壓30V，漏極電流30A，超低柵極電荷RDS（開啟）=15mΩ@VDS=30V，減小損耗；具有出色的Cdv/dt效應(yīng)下降、100%EAS保證、綠色設(shè)備可用，可靠穩(wěn)定；廣泛應(yīng)用于同步降壓轉(zhuǎn)換器、DC-DC電源系統(tǒng)、負(fù)載開關(guān)中，封裝形式：TO-251、TO-252。KIA30N03B可以代換新潔能nce30p30k。
漏源電壓：30V
漏極電流：30A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：15mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：60A
雪崩能量單脈沖：72MJ
總功耗：25W
輸入電容：572PF
輸出電容：81PF
總柵極電荷：7.2nC
開通延遲時間：4.1nS
關(guān)斷延遲時間：15.5nS
上升時間：9.8ns
下降時間：6.0ns
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)金田路3037號金中環(huán)國際商務(wù)大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
免責(zé)聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權(quán)，請聯(lián)系刪除。
