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STD35P6LLF6參數(shù)代換,KIA8606A場效應(yīng)管中文資料,優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2024-07-19 

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STD35P6LLF6代換,KIA8606A場效應(yīng)管參數(shù)引腳圖

KIA8606A采用先進的高單元密度溝槽技術(shù)的N溝道MOSFET,漏源擊穿電壓60V,漏極電流為35A,超低柵極電荷,提供卓越的開關(guān)性能;100%EAS保證、出色的Cdv/dt效應(yīng)、綠色設(shè)備可用,穩(wěn)定可靠;KIA8606A能夠代換ST意法半導(dǎo)體STD35P6LLF6,LED車燈、同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供出色的RDSON和柵極電荷,KIA3506A封裝形式:TO-252、TO-251。

STD35P6LLF6代換,KIA8606A場效應(yīng)管參數(shù)

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漏源電壓:60V

漏極電流:35A

漏源通態(tài)電阻(RDS(on)):20mΩ

柵源電壓:±20V

脈沖漏電流:80A

雪崩能量單脈沖:39.2MJ

總功耗:45W

總柵極電荷:19.3nC

輸入電容:2423PF

輸出電容:145PF

開通延遲時間:7.2nS

關(guān)斷延遲時間:36.4nS

上升時間:50ns

下降時間:7.6ns



STD35P6LLF6代換,KIA8606A場效應(yīng)管參數(shù)規(guī)格書

STD35P6LLF6代換,KIA8606A場效應(yīng)管參數(shù)

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