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p75nf75場效應管參數(shù)代換,KNX3308A參數(shù)引腳圖-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2024-07-29 

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p75nf75場效應管參數(shù)代換,KNX3308A資料

KNX3308A場效應管漏源擊穿電壓80V,漏極電流80A,低rds開啟,RDS(ON)值為6.2mΩ,以減少導電損耗,具有高雪崩電流,能夠在額定工作條件下穩(wěn)定運行,確保電路的安全可靠性;采用無鉛和綠色設計,符合環(huán)保要求,能夠替代HY1906、SRP75NF75、FH80N08場效應管在電動車控制器、逆變器、BMS保護板、儲能電源等領域應用,封裝形式:TO-220及多種選擇。

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p75nf75場效應管參數(shù)代換,KNX3308A參數(shù)

漏源電壓:80V

漏極電流:80A

漏源通態(tài)電阻(RDS(on)):6.2mΩ

柵源電壓:±25V

脈沖漏電流:340A

雪崩能量單脈沖:529MJ

總功耗:240W

總柵極電荷:76nC

輸入電容:3110PF

輸出電容:445PF

開通延遲時間:20.4nS

關斷延遲時間:63nS

上升時間:67ns

下降時間:43ns


p75nf75場效應管參數(shù)代換,KNX3308A規(guī)格書

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