電機(jī)控制,電源mos管,KPS6110B場效應(yīng)管參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2024-08-02
KPS6110B場效應(yīng)管采用先進(jìn)溝槽技術(shù),漏源擊穿電壓-100V,漏極電流-12A,在VGS=-10V時(shí),RDS(ON)=170mΩ(典型值),可靠且堅(jiān)固、綠色設(shè)備可用,在電源管理、直流電機(jī)控制中提高優(yōu)越的性能;封裝形式:SOT89,小巧、安裝方便、散熱良好。
漏源電壓:-100V
漏極電流:-12A
漏源通態(tài)電阻:170mΩ
柵源電壓:±20V
脈沖漏電流:-48A
雪崩能量單脈沖:49MJ
功率耗散:39W
總柵極電荷:19nC
輸入電容:1228PF
輸出電容:41PF
開通延遲時(shí)間:9nS
關(guān)斷延遲時(shí)間:39nS
上升時(shí)間:6ns
下降時(shí)間:33ns
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