IRF730產(chǎn)品參數(shù)

IRF730屬于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF730為設計者提供了轉換快速、堅固耐用、低導通阻抗和高效益的強力組合。

TO-220封裝的IRF730普遍適用于功耗在50W左右的工商業(yè)應用，低熱阻和低成本的TO-220封裝，使IRF730得到業(yè)內(nèi)的普遍認可。SMD-220封裝的IRF730適用于貼片安裝，比起現(xiàn)有的任何其他貼片封裝，可說是功率最高，導通阻抗最低。IRF730的SMD-220封裝可適應高強度電流的應用。

2、特征
動態(tài)dv/dt率

可恢復性雪崩測定

快速轉換速率

并行簡易

僅需簡單驅動

無鉛環(huán)保

3、IRF730產(chǎn)品參數(shù)

連續(xù)漏電流、電壓：5.5a

連續(xù)漏電流、電壓：3.5a

漏電流脈沖：22a

功耗：74w

線性降額因數(shù)：0.6 / w°C

源電壓：±30

二極管恢復：4.6v/ns

工作溫度：-55 + 150tstg

存儲溫度范圍

焊接溫度，10 seconds300（1.6mm案例）°C

封裝形式：TO-220, TO-263, TO-262

4、MOSFET選型指標

PartNumbe	VDss(V)	ID（A）	Max RDS(ON) @60%ID(Ω)	Typical RDS(ON) @60%ID(Ω)
IRF840	500	8	0.85	63
IRF7811	30	14	14	17
IRF530	100	14	0.16	26
IRF530	100	17	90	24.7
IRF634	250	8.1	0.45	54
IRF7413	30	13	11	44
IRF3710	100	57	23	86.7
IRf1404	40	162	4	160