廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司

國家高新企業(yè)

cn en

新聞中心

IRF730現(xiàn)貨供應(yīng)商 IRF730技術(shù)參數(shù)信息 IRF730中文資料 KIA官網(wǎng)

信息來源:本站 日期:2018-01-22 

分享到:

IRF730產(chǎn)品參數(shù)

IRF730屬于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF730為設(shè)計者提供了轉(zhuǎn)換快速、堅固耐用、低導(dǎo)通阻抗和高效益的強力組合。

TO-220封裝的IRF730普遍適用于功耗在50W左右的工商業(yè)應(yīng)用,低熱阻和低成本的TO-220封裝,使IRF730得到業(yè)內(nèi)的普遍認可。SMD-220封裝的IRF730適用于貼片安裝,比起現(xiàn)有的任何其他貼片封裝,可說是功率最高,導(dǎo)通阻抗最低。IRF730的SMD-220封裝可適應(yīng)高強度電流的應(yīng)用。

2、特征
動態(tài)dv/dt率

可恢復(fù)性雪崩測定

快速轉(zhuǎn)換速率

并行簡易

僅需簡單驅(qū)動

無鉛環(huán)保

3、IRF730產(chǎn)品參數(shù)

連續(xù)漏電流、電壓:5.5a

連續(xù)漏電流、電壓:3.5a

漏電流脈沖:22a

功耗:74w

線性降額因數(shù):0.6 / w°C

源電壓:±30

二極管恢復(fù):4.6v/ns

工作溫度:-55 + 150tstg

存儲溫度范圍

焊接溫度,10 seconds300(1.6mm案例)°C

封裝形式:TO-220, TO-263, TO-262

4、MOSFET選型指標

PartNumbe

VDss(V)

ID(A)

Max RDS(ON)

@60%ID(Ω)

Typical RDS(ON)

@60%ID(Ω)

IRF840

500

8

0.85

63

IRF7811

30

14

14

17

IRF530

100

14

0.16

26

IRF530

100

17

90

24.7

IRF634

250

8.1

0.45

54

IRF7413

30

13

11

44

IRF3710

100

57

23

86.7

IRf1404

40

162

4

160


聯(lián)系方式:鄒先生

聯(lián)系電話:0755-83888366-8022

手機:18123972950

QQ:2880195519

聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1


請搜微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號

請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供  MOS管  技術(shù)幫助


730

相關(guān)搜索:

50N06中文資料

10N60價格

IRF3205參數(shù)及代換

CMD5950 5950

IRF740 740參數(shù)及代換

13N50中文資料

75NF75參數(shù)參數(shù)

12N60價格

20N50價格

IRF640 640參數(shù)及代換

100A 500V參數(shù)

5N60參數(shù)

7N60中文資料

8N60場效應(yīng)管參數(shù)

9N20場效應(yīng)管中文資料

76A600V電壓參數(shù)

47A 600V參數(shù)范圍