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9N90現(xiàn)貨供應(yīng)商 KIA9N90 PDF文件9N90 9A/900 參數(shù)資料-KIA 官網(wǎng)

信息來源:本站 日期:2018-01-28 

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KIA9N90參數(shù)

N溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管是使用半導(dǎo)體專有的,平面條形DMOS技術(shù),這種先進(jìn)的技術(shù)已特別量身定制,以盡量減少對國家的阻力,提供優(yōu)越的開關(guān)性能,并承受高雪崩和換相模式下的能量脈沖。這些設(shè)備非常適合高效率。開關(guān)電源,有源功率因數(shù)校正,半橋式電子鎮(zhèn)流器拓?fù)?/span>。


特點(diǎn)

9a,900V,RDS= 1.12Ω@ VGS=10 V

低柵電荷(典型的70數(shù)控)

Low Crss(典型的14pf)

快速切換

100%雪崩測試

改進(jìn)的dt/dt能力

符合RoHS


產(chǎn)品型號(hào):KIA9N90

工作方式:9A/900V

漏源電壓:900V

柵源電壓:±30V

漏電流連續(xù):9.0A

脈沖漏極電流:36A

雪崩能量:900mJ

耗散功率:280W

熱電阻:40℃/W

漏源擊穿電壓:900V

柵極閾值電壓:3.0V

輸入電容:2780 PF

輸出電容:228 PF

上升時(shí)間:130 ns

封裝形式:TO-3P、TO-247


KIA9N90(9A/900V
產(chǎn)品編號(hào) KIA9N90/HF/Hm/SF
FET極性 N溝道MOSFET
產(chǎn)品工藝 N溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管是使用半導(dǎo)體專有的,平面條形DMOS技術(shù),這種先進(jìn)的技術(shù)已特別量身定制,以盡量減少對國家的阻力,提供優(yōu)越的開關(guān)性能,并承受高雪崩和換相模式下的能量脈沖。
產(chǎn)品特性

9a,900V,RDS= 1.12Ω@ VGS=10 V

低柵電荷(典型的70數(shù)控)

Low Crss(典型的14pf)

快速切換

100%雪崩測試

改進(jìn)的dt/dt能力

符合RoHS

適用范圍 主要適用于高效率。開關(guān)電源,有源功率因數(shù)校正,半橋式電子鎮(zhèn)流器拓?fù)?/strong>
封裝形式 TO-3P、TO-247
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廠家 KIA 原廠家
網(wǎng)址 arainay.com
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